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pro vyhledávání: '"analytisches Simulationsmodell"'
Akademický článek
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Autor:
Müllner, Florian
Arbeit an der Bibliothek noch nicht eingelangt - Daten nicht geprueft - gesperrte Arbeit (bis 2026-03-01+01:00)
Abweichender Titel nach Übersetzung der Verfasserin/des Verfassers
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Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a37bab6fc4850af496ddb1dc8b8a589e
Publikováno v:
Advances in Radio Science; 2010, Vol. 8, p143-149, 7p, 5 Diagrams, 5 Graphs
Publikováno v:
Advances in Radio Science, Vol 8, Pp 143-149 (2010)
In dieser Arbeit wird ein analytisches Simulationsmodell für MOS Varaktoren zur Entwurfsunterstützung von integrierten CMOS LC-Tank VCO-Schaltungen präsentiert. Das analytische Simulationsmodell wurde auf Basis des EKV-Transistormodells implementi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6a93c2c9d9264119a25747f14ca93f33
Publikováno v:
wt Werkstattstechnik online. 107:761-766
Ziel ist die simulative Bestimmung der Temperatur beim axial-oberflächennahen Bohren. Dazu wird ein analytisches Simulationsmodell mit dem Ansatz von Carslow und Jaeger implementiert. Es werden Randbedingungen für adiabate Werkstückoberflächen de
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8211f3f7ade4dd292e12de9dfde154a6
https://doi.org/10.37544/1436-4980-2017-10-83
https://doi.org/10.37544/1436-4980-2017-10-83
Publikováno v:
Advances in Radio Science, Vol 8, Pp 143-149 (2010)
In dieser Arbeit wird ein analytisches Simulationsmodell für MOS Varaktoren zur Entwurfsunterstützung von integrierten CMOS LC-Tank VCO-Schaltungen präsentiert. Das analytische Simulationsmodell wurde auf Basis des EKV-Transistormodells implementi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8e2dd56159138d37bfec2484d09b036b
https://www.adv-radio-sci.net/8/143/2010/
https://www.adv-radio-sci.net/8/143/2010/
Autor:
Bankwitz, Hagen
Die Arbeit befasst sich mit der Simulation von Zweiwellen-Zahnriemengetrieben und deren Vorspannmethoden, insbesondere mit der relativ neuen Methode Spannring (ROLL-RING®). Das Ziel der vorliegenden Arbeit ist es, ein analytisches Simulationsmodell
Publikováno v:
Advances in Radio Science 8 (2010)
In this work an analytical simulation model for MOS varactors, that can be used in a systematically VCO design flow, is presented. The simulation model is based on the EKV transistor model and includes only design and process parameters of the used C
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1bbb34899a587336d9a6dc692f146ed4