Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"amorphous InMgO TFTs"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 5, Iss 6, Pp 504-508 (2017)
Thin film transistors (TFTs) with amorphous InMgO (a-IMO) and InGaZnO (a-IGZO) stacked active layers are proposed to implement high-performance ultraviolet (UV) detectors. In this structure, the IGZO layer serves as the conductive layer and the IMO l
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8481ab5f9a754808a96b545a9a396283
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 5, Iss 6, Pp 504-508 (2017)
Thin film transistors (TFTs) with amorphous InMgO (a-IMO) and InGaZnO (a-IGZO) stacked active layers are proposed to implement high-performance ultraviolet (UV) detectors. In this structure, the IGZO layer serves as the conductive layer and the IMO l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3e64a2a31402ae7f57a9d7a1b762eb58
https://ieeexplore.ieee.org/document/8013019/
https://ieeexplore.ieee.org/document/8013019/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.