Zobrazeno 1 - 10
of 398
pro vyhledávání: '"algan/gan heterostructure"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 14, Iss 1, Pp 1-6 (2019)
Abstract An AlGaN/GaN lateral reverse blocking current regulating diode (RB-CRD) with trench Schottky anode and hybrid trench cathode has been proposed and experimentally demonstrated on silicon substrate. The Schottky barrier diode (SBD) integrated
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0162624a6b5b42639b376eb895dc87d2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
In this report the influence of the growth conditions on the surface morphology of AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire-based and bulk GaN substrates is nondestructively investigated with focus on the decoration of defects and the surface rou
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A81180
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A81180/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A81180/attachment/ATT-0/
Autor:
D. V. Krapukhin, P. P. Maltsev
Publikováno v:
Российский технологический журнал, Vol 4, Iss 4, Pp 42-53 (2016)
The article describes the development of a low-noise amplifier for the 57-64 GHz band based on a wide-gap semiconductor - gallium nitride. We analyze existing commercial developments in the area of low-noise amplifiers for the 60 GHz band, which are
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/03c02f5789f64ef2bdf324189df95877