Zobrazeno 1 - 10
of 146
pro vyhledávání: '"algan/aln/gan"'
Publikováno v:
BIO Web of Conferences, Vol 129, p 24002 (2024)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c0e166072a8046d8ab33f3604f8ea42d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Xin Chen, Jianqi Dong, Chenguang He, Longfei He, Zhitao Chen, Shuti Li, Kang Zhang, Xingfu Wang, Zhong Lin Wang
Publikováno v:
Nano-Micro Letters, Vol 13, Iss 1, Pp 1-13 (2021)
Abstract High-electron-mobility transistors (HEMTs) are a promising device in the field of radio frequency and wireless communication. However, to unlock the full potential of HEMTs, the fabrication of large-size flexible HEMTs is required. Herein, a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/38458ffd8b90446784f2e9105c2076fc
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 11, Iss 1, Pp 1847-1853 (2020)
1D semiconductor nanowires (NWs) have been extensively studied in recent years due to the predominant mechanical flexibility caused by a large surface-to-volume ratio and unique electrical and optical properties induced by the 1D quantum confinement
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5f8045e863c34fac996215680e8f8ec7
Autor:
Moath Alathbah, Khaled Elgaid
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 11, p 2007 (2022)
In this letter, a novel approach is presented to overcome issues in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs), such as metal discontinuity of the gate stemmed from conventional mesa isolation. This usually requires a careful mesa etch proc
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/66b6381ee6274a99a7bf2c419d74ff4b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Crystals, Vol 11, Iss 2, p 136 (2021)
Surface passivation is critically important to improve the current collapse and the overall device performance in metal-oxide semiconductor high-electron mobility transistors (MOS-HEMTs) and, thus, their reliability. In this paper, we demonstrate the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dad08e609d5b44eb837230916cbd8772
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
He Chenguang, Zhong Lin Wang, He Longfei, Jianqi Dong, Shuti Li, Zhang Kang, Xingfu Wang, Zhitao Chen, Xin Chen
Publikováno v:
Nano-Micro Letters, Vol 13, Iss 1, Pp 1-13 (2021)
Nano-Micro Letters
Nano-Micro Letters
Highlights A large size (> 2 cm2) nitride membrane with High-electron-mobility transistor (HEMTs) arrays was successfully separated from sapphire substrate onto flexible substrate by an electrochemical lift-off technique.Without adding extra cost, th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::76daf5bcbe4148674a5d5a77d8288bd7
https://doaj.org/article/38458ffd8b90446784f2e9105c2076fc
https://doaj.org/article/38458ffd8b90446784f2e9105c2076fc