Effect of electric field and acceptor position on the energy spectrum of GaAs/AlAs quantum dot

Autor: Bilynskyi, I.V. ^b, Leshko, R. Ya ^{a, ∗}, Metsan, H.O. ^a, Slusarenko, M.A. ^b

Publikováno v: In Physica B: Physics of Condensed Matter 1 October 2022 642

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Гальваномагнитные и термоэлектрические свойства пленок висмута, легированного оловом

Autor: D.Yu. Matveev

Publikováno v: Izvestiya of Altai State University; No 4(126) (2022): Izvestiya of Altai State University; 36-43
Известия Алтайского государственного университета; № 4(126) (2022): Известия Алтайского государственного университета; 36-43

This paper presents the experimental study of the galvanomagnetic and thermoelectric properties of thin bismuth films doped with tin. The amount of tin is 0.06 at. % with the thickness ranged within 250-800 nm, and it is deposited on mica-muscovite s

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6fecd50f942bf318a55655bf5f722b5f
http://izvestiya.asu.ru/article/view/(2022)4-05

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Elements (Si, Sn, and Mg) doped α-Ga2O3: First-principles investigations and predictions

Autor: Renxu Jia, Linpeng Dong, Jiangang Yu, Yuming Zhang

Publikováno v: Computational Materials Science. 156:273-279

α-Ga2O3 with corundum-like structure has drawn great attention for the application of high power devices and solar-blind photodetectors. In order to further enhance the performance of the devices, specific elements doping is necessary to investigate

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b81ad10ebe3eab76c086235fd0f3c5da
https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2018.10.003