Zobrazeno 1 - 10
of 1 479
pro vyhledávání: '"a-Si:H"'
Autor:
Chih-Lung Lin, Chia-Lun Lee, Cheng-Han Ke, Po-Cheng Lai, Chung-Tien Chiu, Yu-Chang Chiu, Chia-Wei Kuo
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 78122-78131 (2024)
This paper presents a lifetime optimization of optical sensing system that integrates highly reliable optical sensors and driver circuits that use hydrogenated amorphous silicon thin-film transistors (a-Si:H TFTs) to realize binary detection of optic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f815a8bccb1a46df941e381c43bee48f
Publikováno v:
Photonic Sensors, Vol 13, Iss 4, Pp 1-12 (2023)
Abstract Photodetectors operating at the wavelength in the visible spectrum are key components in high-performance optoelectronic systems. In this work, massive nonlinearities in amorphous silicon p-i-n photodiodes enabled by the photogating are pres
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3da32f6f5e024b0fab579b0734123610
Autor:
Donghyeong Choi, Ji-Woo Seo, Jongwon Yoon, Seung Min Yu, Jung-Dae Kwon, Seoung-Ki Lee, Yonghun Kim
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 21, p 2886 (2023)
A novel approach to fabricating a transparent and flexible one-transistor–one-diode (1T-1D) image sensor array on a flexible colorless polyimide (CPI) film substrate is successfully demonstrated with laser lift-off (LLO) techniques. Leveraging tran
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d71c664a34384fd7b892a458f6d2555a
Autor:
Sunhwa Lee, Jinjoo Park, Duy Phong Pham, Sangho Kim, Youngkuk Kim, Thanh Thuy Trinh, Vinh Ai Dao, Junsin Yi
Publikováno v:
Energies, Vol 16, Iss 18, p 6694 (2023)
This study investigated the correlation between the degree of disorder of the post-hydrogen plasma treatment (HPT) of the intrinsic hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H(i)) and the device characteristics of the a-Si:H/c-Si heterojunction (HJ) solar
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d20b452e7d2540a09573785ac3f2e4ba
Publikováno v:
Cogent Engineering, Vol 9, Iss 1 (2022)
In this study, the front work function WFITO and absorber layer bandgap’s influences on two solar cells structure performances, namely ITO/(p)a-Si:H/(i)a-Si:H/(n)a-Si:H/metal (single intrinsic, Sint) structure and ITO/(p)a-Si:H/(i1)a-Si:H/(i2)a-Si:
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e70df1587e2245a3b34f9845bd793b37
Publikováno v:
Frontiers in Physics, Vol 10 (2022)
Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) particle detectors have been considered as alternatives to crystalline silicon detectors (c-Si) in high radiation environments, due to their excellent radiation hardness. However, although their capability for
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/02e610677e274304b5a1d25ea90d926c
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 302-307 (2020)
This work proposes a hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin-film transistor (TFT) gate driver with a low-leakage capacitive coupling structure to reduce the delay of the clock signal. The proposed circuit suppresses the fluctuation in the gate
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/58b5f4f4673945bf9af580a8da5cecb7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.