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Leistungstransistoren auf Basis neuer Halbleitermaterialien wie Siliziumcarbid ermöglichen bisher unerreicht niedrige Schaltverlustenergien und verbesserte Durchlasseigenschaften bei gleichzeitig geringerer Chipfläche. Durch den aktuellen Trend der
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::196aab7e8f6e8ab6b018cdafc1d5a576
