Zobrazeno 1 - 10
of 109
pro vyhledávání: '"Zviagin, V."'
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 10/28/2020, Vol. 128 Issue 16, p165702-1-165702-7, 7p
Autor:
Prucnal, S., Berencén, Y., Wang, M., Rebohle, L., Kudrawiec, R., Polak, M., Zviagin, V., Schmidt-Grund, R., Grundmann, M., Grenzer, J., Turek, M., Droździel, A., Pyszniak, K., Zuk, J., Helm, M., Skorupa, W., Zhou, S.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 5/28/2019, Vol. 125 Issue 20, pN.PAG-N.PAG, 7p, 1 Chart, 5 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Prucnal, S., Berencén, Y., Wang, M., Grenzer, J., Voelskow, M., Hübner, R., Yamamoto, Y., Scheit, A., Bärwolf, F., Zviagin, V., Schmidt-Grund, R., Grundmann, M., Żuk, J., Turek, M., Droździel, A., Pyszniak, K., Kudrawiec, R., Polak, M. P., Rebohle, L., Skorupa, W., Helm, M., Zhou, S.
Publikováno v:
Physical Review Applied 10(2018), 064055
Ge with a quasi-direct band gap can be realized by strain engineering, alloying with Sn, or ultrahigh n-type doping. In this work, we use all three approaches together to fabricate direct-band-gap Ge-Sn alloys. The heavily doped n-type Ge-Sn is reali
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0b4092d7e7cd772abc129e6cf03ec8c6
http://arxiv.org/abs/1901.01721
http://arxiv.org/abs/1901.01721
Band gap renormalization in n-type Ge and GeSn alloys made by millisecond range flash lamp annealing
Autor:
Prucnal, S., Berencen, Y., Wang, M., Rebohle, L., Kudrawiec, R., Polak, M., Zviagin, V., Schmidt-Grund, R., Grundmann, M., Grenzer, J., Turek, M., Droździel, A., Pyszniak, K., Zuk, J., Helm, M., Skorupa, W., Zhou, S.
Publikováno v:
EMRS Fall Meeting 2019, 16.-19.09.2019, Warsaw, Poland
The last missing piece of puzzle for the full functionalization of group IV optoelectronic devices is the direct band gap semiconductor made by CMOS compatible technology. Here we report on the fabrication of GeSn alloys with a Sn concentration of up
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::635a73c7f0a23b77c70d9148f97c65a3
https://www.hzdr.de/publications/Publ-30253-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-30253-1
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 117 Issue 16, p165307-1-165307-7, 7p, 1 Chart, 8 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Dec2011, Vol. 110 Issue 12, p123110, 4p, 1 Black and White Photograph, 4 Graphs
Autor:
Blaschke, D., Munnik, F., Zviagin, V., Schmidt-Grund, R., Grundmann, M., Bogusz, A., Hübner, R., Scholz, A., Schmidt, H., Zahn, P., Gemming, S.
Publikováno v:
MEMRIOX International Workshop 2016, 25.-27.09.2016, Berghotel Bastei, Lohmen, Germany
HfO2 films were grown on 4-inch native SiO2/Si wafers by Atomic Layer Deposition (ALD) from tetrakis(dimethylamido)hafnium and deionized water in a Savannah S100 system. The temperature was varied from 100°C to 350°C in steps of 50 K. All other ALD
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::ecd6aa58f52277b05284ca6a6c991066
https://www.hzdr.de/publications/Publ-24792-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-24792-1