Zobrazeno 1 - 10
of 45
pro vyhledávání: '"Zuo Qingyun"'
Autor:
Zhu, Qiannan, Wang, Lei, Ren, Haoyue, Zhang, Jiaqi, Zuo, Qingyun, Li, Mojin, Zhu, Jianping, Yang, Guiwen, Zhang, Fumiao
Publikováno v:
In Fish and Shellfish Immunology December 2023 143
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; October 2023, Vol. 12791 Issue: 1 p127911C-127911C-11, 12663201p
Autor:
Weijun Wang, Zhengxi Cheng, Xiaoxu Kang, Xiaolan Zhong, Shoumian Chen, Ruoxi Shen, Yuhang Zhao, Zhangfa Chen, Zuo Qingyun
Publikováno v:
2020 IEEE 15th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT).
With CMOS technology feature size continually scaling down, EM reliability issue of Cu interconnect is becoming more and more severe. As a 2D material, Graphene can sustain much higher current density, which may have potential application value to CM
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e78f874ae857f7fd7de58a99766c28d6
https://doi.org/10.1109/icsict49897.2020.9278193
https://doi.org/10.1109/icsict49897.2020.9278193
Autor:
Hong Lin, Zuo Qingyun, Yuhang Zhao, Xin-Ping Qu, Weijun Wang, Ming Li, Shoumian Chen, Zheng-Jun Hu
Publikováno v:
2018 14th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT).
In this paper, barrier and seed process with physical vapor deposition (PVD) methods for Cu interconnect were developed for the 28 nm node generations. We show that metal filling can be improved by optimizing the seed process. Under non-optimized con
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4cbe15878ecb144ef52104220023c85b
https://doi.org/10.1109/icsict.2018.8564986
https://doi.org/10.1109/icsict.2018.8564986
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; 1/29/2024, Vol. 12791, p127911C-127911C-11, 1p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Xiaoxu Kang, Zhu Xingwang, Jianpeng Wang, Bo Zhang, Shoumian Chen, Ming Li, Zuo Qingyun, Jianmin Wang, Yuhang Zhao, Wei Wang, Zijing Ye, Shanshan Liu, Limin Zhu, Hanwei Lu, Ruoxi Shen, Xiaolan Zhong
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 58:SHHH02
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::480621eb2851b9969c6125b7e91dc5cb
https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab237d
https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab237d
Autor:
Zuo, Qingyun, Long, Shibing, Liu, Qi, Zhang, Sen, Wang, Qin, Li, Yingtao, Wang, Yan, Liu, Ming
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Oct2009, Vol. 106 Issue 7, p073724-073729, 5p, 1 Diagram, 6 Graphs