Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"Zultak, Johanna"'
Autor:
Graham, Abigail J., Zultak, Johanna, Hamer, Matthew J., Zolyomi, Viktor, Magorrian, Samuel, Barinov, Alexei, Kandyba, Viktor, Giampietri, Alessio, Locatelli, Andrea, Genuzio, Francesca, Teutsch, Natalie C., Salazar, Temok, Hine, Nicholas D. M., Fal'ko, Vladimir I., Gorbachev, Roman V., Wilson, Neil R.
Publikováno v:
2D Materials, 8, 015016. 2021
In two-dimensional heterostructures, crystalline atomic layers with differing lattice parameters can stack directly one on another. The resultant close proximity of atomic lattices with differing periodicity can lead to new phenomena. For umklapp pro
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2008.12079
Autor:
Ubrig, Nicolas, Ponomarev, Evgeniy, Zultak, Johanna, Domaretskiy, Daniil, Zólyomi, Viktor, Terry, Daniel, Howarth, James, Gutiérrez-Lezama, Ignacio, Zhukov, Alexander, Kudrynskyi, Zakhar R., Kovalyuk, Zakhar D., Patanè, Amalia, Taniguchi, Takashi, Watanabe, Kenji, Gorbachev, Roman V., Fal'ko, Vladimir I., Morpurgo, Alberto F.
Publikováno v:
Nature Materials (2020)
Van der Waals (vdW) materials offer new ways to assemble artificial electronic media with properties controlled at the design stage, by combining atomically defined layers into interfaces and heterostructures. Their potential for optoelectronics stem
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1912.10345
Autor:
Weston, Astrid, Zou, Yichao, Enaldiev, Vladimir, Summerfield, Alex, Clark, Nicholas, Z'olyomi, Viktor, Graham, Abigail, Yelgel, Celal, Magorrian, Samuel, Zhou, Mingwei, Zultak, Johanna, Hopkinson, David, Barinov, Alexei, Bointon, Thomas, Kretinin, Andrey, Wilson, Neil R., Beton, Peter H., Fal'ko, Vladimir I., Haigh, Sarah J., Gorbachev, Roman
Van der Waals heterostructures form a massive interdisciplinary research field, fueled by the rich material science opportunities presented by layer assembly of artificial solids with controlled composition, order and relative rotation of adjacent at
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1911.12664
Autor:
Zultak, Johanna, Magorrian, Samuel, Koperski, Maciej, Garner, Alistair, Hamer, Matthew J, Tovari, Endre, Novoselov, Kostya S, Zhukov, Alexander, Zou, Yichao, Wilson, Neil R., Haigh, Sarah J, Kretinin, Andrey, Fal'ko, Vladimir I., Gorbachev, Roman
Publikováno v:
Nat Commun 11, 125 (2020)
Control over the electronic spectrum at low energy is at the heart of the functioning of modern advanced electronics: high electron mobility transistors, semiconductor and Capasso terahertz lasers, and many others. Most of those devices rely on the m
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1910.04215
Autor:
Hamer, Matthew, Zultak, Johanna, Tyurnina, Anastasia V., Zólyomi, Viktor, Terry, Daniel, Barinov, Alexei, Garner, Alistair, Donoghue, Jack, Rooney, Aidan P., Kandyba, Viktor, Giampietri, Alessio, Graham, Abigail J., Teutsch, Natalie C., Xia, Xue, Koperski, Maciej, Haigh, Sarah J., Fal'ko, Vladimir I., Gorbachev, Roman, Wilson, Neil R.
Publikováno v:
ACS Nano, 2019, 13, pp 2136-2142
Atomically thin films of III-VI post-transition metal chalcogenides (InSe and GaSe) form an interesting class of two-dimensional semiconductor that feature strong variations of their band gap as a function of the number of layers in the crystal [1-4]
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1901.06943
Autor:
Ella, Lior, Rozen, Assaf, Birkbeck, John, Ben-Shalom, Moshe, Perello, David, Zultak, Johanna, Taniguchi, Takashi, Watanabe, Kenji, Geim, Andre K., Ilani, Shahal, Sulpizio, Joseph A.
Electron transport in nanoscale devices can often result in nontrivial spatial patterns of voltage and current that reflect a variety of physical phenomena, particularly in nonlocal transport regimes. While numerous techniques have been devised to im
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1810.10744
Autor:
Littlejohns, Callum G., Sorel, Marc, Bushati, Rezlind, Campbell, Sara L., DeBono, Bryan A., Ertsgaard, Chris T., Krogstad, Molly R., Lee, Patty, Malm, Andrew, Nguyen, Duc A., Nugent, Lora, Ollanik, Adam J., Plascak, Michael E., Rowe, Mary, Schultz, Justin T., Semenenko, Henry, Tobey, Raanan I., Zultak, Johanna
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; November 2023, Vol. 12794 Issue: 1 p127940G-127940G-3, 1151464p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.