Zobrazeno 1 - 10
of 113
pro vyhledávání: '"Zubkov, V. I."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zubkov, V. I., Melnik, M. A., Solomonov, A. V., Tsvelev, E. O., Bugge, F., Weyers, M., Traenkle, G.
The results of measurements and numerical simulation of charge carrier distribution and energy states in strained quantum wells In_xGa_{1-x}As/GaAs (0.06 < x < 0.29) by C-V-profiling are presented. Precise values of conduction band offsets for these
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0307107
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Afanasjev, A. V., Zubkov, V. I., Ilyin, V. A., Luchinin, V. V., Pavlova, M. V., Panov, M. F., Trushliakova, V. V., Firsov, D. D.
Publikováno v:
Technical Physics Letters; Feb2024, Vol. 50 Issue 2, p171-173, 3p
Publikováno v:
Semiconductors. Apr2018, Vol. 52 Issue 4, p507-510. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Firsov D. D., null Trushliakova V. V., null Panov M. F., null Pavlova M. V., null Luchinin V. V., null Ilyin V. A., null Zubkov V. I., null Afanasjev A. V.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:74
A technique has been developed for frequency analysis of the IR reflection spectrum to determine the thickness and order of the layers in the epitaxial structure of silicon carbide. Calculations for the 4H-SiC epitaxial structure have been performed.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c84d72617407855681499ef61bceeada
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.01.52476.19012
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.01.52476.19012
Publikováno v:
Technical Physics Letters. Dec2018, Vol. 44 Issue 12, p1171-1173. 3p.
Autor:
Zubkov, V. I., Kucherova, O. V., Bogdanov, S. A., Zubkova, A. V., Butler, J. E., Ilyin, V. A., Afanas'ev, A. V., Vikharev, A. L.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 14, p145703-1-145703-9, 9p, 1 Chart, 11 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.