Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Zr₃N₂"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 6622-6628 (2022)
Charge-trap based resistive switching (RS) has attracted attention in the resistive random-access memory (RRAM) industry due to its gradual RS behavior for multi-level and synaptic applications. In this work, in order to lower the operating current l
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c4d522749f6f4876989295683a9c1cb9
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 6622-6628 (2022)
Charge-trap based resistive switching (RS) has attracted attention in the resistive random-access memory (RRAM) industry due to its gradual RS behavior for multi-level and synaptic applications. In this work, in order to lower the operating current l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8b27c5d5308cc29a8fae7ddc96d9b8a0
https://ieeexplore.ieee.org/document/9678317/
https://ieeexplore.ieee.org/document/9678317/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.