Zobrazeno 1 - 10 of 40 pro vyhledávání: '"Zohta, Yasuhito"'
1
Akademický článek
C-V and G-V characteristics of ion-implanted MOS structures depending upon the geometrical structure of the implanted region.
Autor: Zohta, Yasuhito
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1977, Vol. 48 Issue 4, p1615-1620, 6p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Valley current of three-dimensional resonant tunneling diode studied by the improved optical model.
Autor: Zohta, Yasuhito, Tanamoto, Tetsufumi
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/1994, Vol. 76 Issue 4, p2343, 4p, 1 Diagram, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Effect of inelastic scattering on resonant tunneling studied by the optical potential and path integrals.
Autor: Zohta, Yasuhito, Ezawa, Hiroshi
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1992, Vol. 72 Issue 8, p3584, 5p, 1 Diagram
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Frequency Response of Gold Impurity Centers in the Depletion Layer of Reverse-Biased Silicon p+n Junctions.
Autor: Zohta, Yasuhito
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1972, Vol. 43 Issue 4, p1713-1716, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Improved optical model for resonant tunneling diode.
Autor: Zohta, Yasuhito, Tanamoto, Tetsufumi
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/1/1993, Vol. 74 Issue 11, p6996, 3p, 1 Diagram, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Influence of transmission resonance on carrier collection in a semiconductor quantum well.
Autor: Zohta, Yasuhito
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1986, Vol. 59 Issue 3, p962, 3p, 1 Diagram, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Negative resistance of semiconductor heterojunction diodes owing to transmission resonance.
Autor: Zohta, Yasuhito
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/15/1985, Vol. 57 Issue 6, p2334, 3p, 1 Diagram, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
On the determination of the spatial distribution of deep centers in semiconducting thin films from capacitance transient spectroscopy.
Autor: Zohta, Yasuhito, Watanabe, Miyoko Oku
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar1982, Vol. 53 Issue 3, p1809-1811, 3p
Zobrazit plný text záznamu
9
Periodical
C‐Vand G‐Vcharacteristics of ion‐implanted MOS structures depending upon the geometrical structure of the implanted region
Autor: Zohta, Yasuhito
Publikováno v: Journal of Applied Physics; April 1977, Vol. 48 Issue: 4 p1615-1620, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Anomalous I-V characteristics of semiconductor heterojunction diodes due to transmission resonance.
Autor: Zohta, Yasuhito, Tsuda, Kunio, Hiraoka, Yoshiko Someya
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1986, Vol. 4 Issue 2, p658-660, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje