Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"Zippelius, Bernd"'
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Feb2012, Vol. 111 Issue 3, p033515, 5p, 1 Color Photograph, 1 Chart, 4 Graphs
Autor:
Zippelius, Bernd
Im Rahmen dieser Arbeit wurden Hall-Effekt-Messungen an 3C-SiC Substratmaterial durchgeführt. Weiterhin wurden 4H-SiC Epitaxieschichten im Hinblick auf intrinsische Punktdefekte mittels DLTS untersucht. An 3C-SiC pn-Dioden wurde die Sperr-Kennlinie
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2091::b0877cd1c9c15ee35c9056d2c340fba9
https://opus4.kobv.de/opus4-fau/files/1658/DissZippelius.pdf
https://opus4.kobv.de/opus4-fau/files/1658/DissZippelius.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science Forum; May 2017, Vol. 897 Issue: 1 p295-298, 4p
Publikováno v:
Materials Science Forum; May 2016, Vol. 858 Issue: 1 p817-820, 4p
Publikováno v:
Materials Science Forum; June 2015, Vol. 821 Issue: 1 p608-611, 4p
Autor:
Weber, Jonas, Beljakowa, Svetlana, Weber, Heiko B., Pensl, Gerhard, Zippelius, Bernd, Kimoto, Tsunenobu, Krieger, Michael
Publikováno v:
Materials Science Forum; January 2013, Vol. 740 Issue: 1 p377-380, 4p
Dependence of the Channel Mobility in 3C-SiC n-MOSFETs on the Crystal Orientation and Channel Length
Autor:
Zippelius, Bernd, Hauck, Martin, Beljakowa, Svetlana, Weber, Heiko B., Krieger, Michael, Nagasawa, Hiroyuki, Uchida, Hidetsugu, Pensl, Gerhard, Schöner, Adolf
Publikováno v:
Materials Science Forum; May 2012, Vol. 717 Issue: 1 p1113-1116, 4p
Autor:
Zippelius, Bernd, Glas, Alexander, Weber, Heiko B., Pensl, Gerhard, Kimoto, Tsunenobu, Krieger, Michael
Publikováno v:
Materials Science Forum; May 2012, Vol. 717 Issue: 1 p251-254, 4p
Publikováno v:
Materials Science Forum; May 2012, Vol. 717 Issue: 1 p247-250, 4p