Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Zinovev, Alexander V"'
It has been known for a long time that traditional semiconductor (e.g. intrinsic and doped Si and Ge or binary SiC and GaN) field emitters significantly deviate from Fowler-Nordheim (FN) law and saturate when a large current, on the order of microamp
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1710.03692
Publikováno v:
In Diamond & Related Materials April 2015 54:91-96
Autor:
Jokela, Slade J., Veryovkin, Igor V., Zinovev, Alexander V., Elam, Jeffrey W., Mane, Anil U., Peng, Qing, Insepov, Z.
Publikováno v:
In Physics Procedia 2012 37:740-747
Autor:
Veryovkin, Igor V., Belykh, Sergey F., Adriaens, Annemie, Zinovev, Alexander V., Adams, Freddy
Publikováno v:
In Applied Surface Science 2004 231:101-105
It has been known for a long time that traditional semiconductor (e.g. intrinsic and doped Si and Ge or binary SiC and GaN) field emitters significantly deviate from Fowler-Nordheim (FN) law and saturate when a large current, on the order of microamp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::32fcb375cba75001018f733d34b58ec2
http://arxiv.org/abs/1710.03692
http://arxiv.org/abs/1710.03692
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics; May/Jun2016, Vol. 34 Issue 3, p03H108-1-03H108-6, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Surface Science Spectra; 2015, Vol. 22 Issue 1, p81-99, 19p