Zobrazeno 1 - 10
of 24
pro vyhledávání: '"Zielony, M."'
Autor:
Woszczyna, M., Gotszalk, T., Zawierucha, P., Zielony, M., Ivanow, Tzv., Ivanowa, K., Sarov, Y., Nikolov, N., Mielczarski, J., Mielczarska, E., Rangelow, I.W.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2009 86(4):1212-1215
Autor:
Rangelow, I.W., Ivanov, Tzv., Ivanova, K., Volland, B.E., Grabiec, P., Sarov, Y., Persaud, A., Gotszalk, T., Zawierucha, P., Zielony, M., Dontzov, D., Schmidt, B., Zier, M., Nikolov, N., Kostic, I., Engl, W., Sulzbach, T., Mielczarski, J., Kolb, S., Latimier, Du P., Pedreau, R., Djakov, V., Huq, S.E., Edinger, K., Fortagne, O., Almansa, A., Blom, H.O.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2007 84(5):1260-1264
Autor:
Frank, A., Zöllner, J.-P., Sarov, Y., Ivanov, T., Klett, S., Gotszalk, T., Zielony, M., Zawierucha, P., Schmidt, B., Zier, M., Nikolov, N., Engl, W., Sulzbach, T., Langlotz, E., Dontsov, D., Schott, W., Rangelow, I. W.
Publikováno v:
EUROSENSORS XXII, 07.-10.09.2008, Dresden, Deutschland
In this paper a macro model of a cantilever for mixed domain simulation only with SPICE is presented. Based on lumped elements of equivalent circuits a model is developed, which realizes a coupled electro-thermal-mechanical simulation including cross
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::12d814683af59bfbef136cf09a183bc6
https://www.hzdr.de/publications/Publ-12181-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-12181-1
Autor:
Gotszalk, T., Zawierucha, P., Woszczyna, M., Zielony, M., Ivanov, T., Ivanova, K., Volland, B. E., Sarov, Y., Persaud, A., Dontzov, D., Schmidt, B., Nikolov, N., Kostic, I., Engl, W., Sulzbach, T., Mielczarski, J., Kolb, S., Pedreau, R., Huq, S. E., Edinger, K., Fortagne, O., Blom, H. O., Rangelow, I. W.
Publikováno v:
34th Micro and Nano Engineering Conference MNE08, 15.-18.09.2008, Athens, Greece
Main industry requirement for applying scanning probe microscopy in surface measurements is the high scan speed, which allow the microelectronics producers to obtain the information about the technological process quality in-situ on the semiconductor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::3922a5051aaefd56c82b9b69783630bf
https://www.hzdr.de/publications/Publ-12183-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-12183-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.