Zobrazeno 1 - 10
of 211
pro vyhledávání: '"Zhu, Peng‐Fei"'
Autor:
Ye, Xing-Guo, Liu, Huiying, Zhu, Peng-Fei, Xu, Wen-Zheng, Yang, Shengyuan A., Shang, Nianze, Liu, Kaihui, Liao, Zhi-Min
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 130, 016301 (2023)
Berry curvature dipole plays an important role in various nonlinear quantum phenomena. However, the maximum symmetry allowed for nonzero Berry curvature dipole in the transport plane is a single mirror line, which strongly limits its effects in mater
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2301.01921
Publikováno v:
Phys. Rev. B 106, 045414 (2022)
The anomalous Hall effect (AHE) has been extended into the nonlinear regime, where the Hall voltage shows higher-order response to the applied current. Nevertheless, the microscopic mechanism of the nonlinear AHE remains unclear. Here we report the o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2207.08045
Autor:
Xu, Wen-Zheng, Chu, Chun-Guang, Pan, Zhen-Cun, Chen, Jing-Jing, Wang, An-Qi, Tan, Zhen-Bing, Zhu, Peng-Fei, Ye, Xing-Guo, Yu, Da-Peng, Liao, Zhi-Min
Publikováno v:
Phys. Rev. B 105, 184515 (2022)
We report magnetotransport measurements in the NbN/ magnetic topological insulator MnBi2Te4 (MBT)/ NbN junction at low temperature. At 10 mK, the nonlinear current-voltage characteristic of the junction shows a tunneling behavior, indicating the exis
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2206.04309
Publikováno v:
Chin. Phys. Lett. 39, 037303 (2022)
The reversal of perpendicular magnetization (PM) by electric control is crucial for high-density integration of low-power magnetic random-access memory (MRAM). Although the spin-transfer torque (STT) and spin-orbit torque (SOT) technologies have been
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2202.07840
Autor:
Qin, Mao-Sen, Ye, Xing-Guo, Zhu, Peng-Fei, Xu, Wen-Zheng, Liang, Jing, Liu, Kaihui, Liao, Zhi-Min
Publikováno v:
Chin. Phys. B 30, 097203 (2021)
We report the strong dependence of resistance on uniaxial strain in monolayer WSe2 at various temperatures, where the gauge factor can reach as large as 2400. The observation of strain-dependent resistance and giant gauge factor is attributed to the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2109.02980
Autor:
Qin, Mao-Sen, Zhu, Peng-Fei, Ye, Xing-Guo, Xu, Wen-Zheng, Song, Zhen-Hao, Liang, Jing, Liu, Kaihui, Liao, Zhi-Min
Publikováno v:
Chin. Phys. Lett. 38, 017301 (2021)
The electronic topology is generally related to the Berry curvature, which can induce the anomalous Hall effect in time-reversal symmetry breaking systems. Intrinsic monolayer transition metal dichalcogenides possesses two nonequivalent K and K' vall
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2012.03191
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Energetic Materials Frontiers December 2022 3(4):233-239