Zobrazeno 1 - 10
of 33
pro vyhledávání: '"Zhong, Zhiqin"'
Autor:
Zhong, Zhiqin1 (AUTHOR) zzq@uestc.edu.cn, Luo, Xiang1 (AUTHOR), Zhou, Li1 (AUTHOR), Hu, Sifu2 (AUTHOR), Dai, Liping1 (AUTHOR), Wang, Shuya1 (AUTHOR), Yang, Shaopeng1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Optical & Quantum Electronics. Mar2023, Vol. 55 Issue 3, p1-9. 9p.
Autor:
Zhong, Zhiqin, Li, Ziyuan, Gao, Qian, Li, Zhe, Peng, Kun, Li, Li, Mokkapati, Sudha, Vora, Kaushal, Wu, Jiang, Zhang, Guojun, Wang, Zhiming, Fu, Lan, Tan, Hark Hoe, Jagadish, Chennupati
Publikováno v:
In Nano Energy October 2016 28:106-114
Publikováno v:
Ferroelectrics. 582:28-35
CHF3/Ar plasma was used to etch LiTaO3 crystal by inductively coupled plasmas technique. X-ray photoelectron spectroscopy was performed to investigate the etching mechanism. It was found that chemi...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5b3e227569b8e7831abbc2945351da44
https://doi.org/10.1080/00150193.2021.1951032
https://doi.org/10.1080/00150193.2021.1951032
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing December 2013 16(6):2028-2031
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Plasma Chemistry and Plasma Processing. 35:1119-1127
Reactive ion etching was used to study bismuth zinc niobate (BZN) thin films etching in SF6/Ar plasma as a function of pressure. The etch rate increases as the pressure increases from 1 to 20 mTorr and decreases when the pressure exceeds 20 mTorr. Th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9955cb4d84d75231df8ffdde6c42c69c
https://doi.org/10.1007/s11090-015-9641-x
https://doi.org/10.1007/s11090-015-9641-x
Publikováno v:
Optoelectronics Letters. 10:111-114
The stable properties of N-doped p-type ZnO thin films with preferential nonpolar (100) plane orientation relative to polar (002) plane orientation are investigated. The two kinds of oriented thin films are fabricated by the methods of post heat trea
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9a5734ea5e83530932c75aa2ad0e2ff3
https://doi.org/10.1007/s11801-014-3230-8
https://doi.org/10.1007/s11801-014-3230-8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.