Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"Zhong, Xueqian"'
Autor:
Zhong, Xueqian, Jacobsohn, Antoine, Dufour, Christine, Schwartz, Christophe, Sterckeman, Thibault
Publikováno v:
In Journal of Hazardous Materials 5 March 2024 465
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability December 2013 53(12):1848-1856
Autor:
Zhong, Xueqian
Consumption of vegetables grown in a soil contaminated by trace metals and direct soil inhalation pose a risk to human health. In order to maintain the sustainability of urban gardens, predicting the evolution of metals in soils should allow to ident
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______166::603437d91afc93fb30937b58f9f99f2c
https://hal.univ-lorraine.fr/tel-03780640
https://hal.univ-lorraine.fr/tel-03780640
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 53:1848-1856
This paper studies the unique behavior of a novel 4H-SiC LJFET structure, featuring the series-connection of a normally-on lateral channel with normally-off vertical channels. A comprehensive physical model is established for the novel structure to e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a574a4473261a981ea62c1a98235d5d5
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2013.05.003
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2013.05.003
Publikováno v:
2011 2nd International Conference on Artificial Intelligence, Management Science and Electronic Commerce (AIMSEC).
Silicon Carbide (SiC) lateral JFET (LJFET) has drawn significant attentions due to its excellent performance in high-temperature and high-frequency electronics applications. This paper establishes a comprehensive physical model, including both DC and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::47d9555b770560e7b4018b05d3f02685
https://doi.org/10.1109/aimsec.2011.6010044
https://doi.org/10.1109/aimsec.2011.6010044
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.