Zobrazeno 1 - 10
of 49
pro vyhledávání: '"Zheng Zhong-Shan"'
Total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator pMOSFETs
Publikováno v:
Chinese Physics C Vol. 39, No. 9 (2015) 096101
The total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator (SOI) pMOSFETs have been studied by comparing with those of the back transistor of SOI nMOSFETs fabricated on the same wafer. The transistors were irradia
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1412.6404
Publikováno v:
ASICON
The effects of various values and combinations of decoupling resistors and capacitors on the single event upset (SEU) resistance of static random access memory (SRAM) cells with six transistors have been studied by Spice simulations based on a partia
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fea0f29b17234385b7f9e3e7fedd9f33
https://doi.org/10.1109/asicon.2015.7517078
https://doi.org/10.1109/asicon.2015.7517078
Autor:
Zheng Zhong-Shan, YI Wan-Bing, Zhang En-xia, Zhang Guoqiang, Fan Kai, Liu Zhongli, Chen Meng, Li Ning, Wang Xi
Publikováno v:
Chinese Physics Letters. 22:654-656
Effects of techniques of implanting nitrogen into buried oxide on the characteristics of the partially depleted silicon-on-insulator (SOI) p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (PMOSFETs) have been studied with three different
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fbacce82f48cb2cf969e2b7805b37ce0
https://doi.org/10.1088/0256-307x/22/3/037
https://doi.org/10.1088/0256-307x/22/3/037
Autor:
Yu Fang, Han Zhengsheng, Mei Bo, Zheng Zhong-Shan, Zeng Chuanbin, Zhao Xing, Bi Jinshun, Luo Jiajun, Gao Lin-Chun
Publikováno v:
Acta Physica Sinica. 64:136102
Single event transients (SETs) in a 100 series 0.18 m partially- depleted silicon-on-insulator (PDSOI) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) inverter chain are studied by using pulsed laser. In this paper, effects of struck transistor type a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ff7d7d7c0bd234bd84ee2df41deddbba
https://doi.org/10.7498/aps.64.136102
https://doi.org/10.7498/aps.64.136102
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Chinese Physics B; Nov2012, Vol. 21 Issue 11, p1-6, 6p
Publikováno v:
Acta Physica Sinica. 62:117303
Nitrogen ions implanted into the buried oxide layer can increase the total dose radiation hardness of silicon on insulator (SOI) materials. However, the obvious increase in positive charge density in the buried layer with high dose of nitrogen implan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ec1d57f52fab77b1062676b9a3bb8c2c
https://doi.org/10.7498/aps.62.117303
https://doi.org/10.7498/aps.62.117303
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 31:026001
To harden silicon-on-insulator (SOI) wafers fabricated using separation by implanted oxygen (SIMOX) to total-dose irradiation, the technique of nitrogen implantation into the buried oxide (BOX) layer of SIMOX wafers can be used. However, in this work
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::70e1bb65bfc60b3af27210c2f504a390
https://doi.org/10.1088/1674-4926/31/2/026001
https://doi.org/10.1088/1674-4926/31/2/026001