Zobrazeno 1 - 10
of 115
pro vyhledávání: '"Zhao, Yanlei"'
Publikováno v:
电力工程技术, Vol 43, Iss 3, Pp 32-41 (2024)
Under inverter operating conditions, significant loss is incurred by the insulated gate bipolar transistor (IGBT) (referred to as T2 tube) in the lower part of the half-bridge submodule. The reduction of loss is beneficial for the improvement of equi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d6a93384f6e64349b2f590e316a0c225
Publikováno v:
电力工程技术, Vol 43, Iss 2, Pp 189-198 (2024)
Power losses on the upper and bottom insulated gate bipolar transistors (IGBTs) in half bridge sub-modules (HBSMs) are uneven when hybrid modular multilevel converters (MMCs) work as inverters. The loss of the bottom IGBT in HBSM is much higher than
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/48c5e236e19f454794ca67db5b119555
Publikováno v:
In International Journal of Electrical Power and Energy Systems July 2024 158
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Frontiers in Energy Research; 2024, p1-10, 10p
Autor:
Younas, Talha, Zhao, Yanlei, Jeon, Gwanggil, Farid, Ghulam, Tahir, Sohaib, Mekonnen, Muluneh, Shen, Jin, Gao, Mingliang
Publikováno v:
Wireless Networks (10220038); Nov2024, Vol. 30 Issue 8, p6785-6795, 11p
Publikováno v:
In Journal of the Franklin Institute October 2019 356(15):8726-8744
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.