Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"Zhao, Enhai"'
Autor:
Zhao, Enhai
The object of this thesis is to explore the low-frequency noise (LFN) in silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs) and lateral bipolar junction transistors (BJTs). The LFN of SiGe HBTs and lateral BJTs not only determines the
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1853/14098
Autor:
Zhao, Enhai, Cressler, John D., El-Diwany, Monir, Krakowski, Tracey L., Sadovnikov, Alexei, Kocoski, Dimitar
Publikováno v:
In Solid State Electronics November-December 2006 50(11-12):1748-1755
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability 2004 44(1):89-94
Autor:
Zhao, Enhai1 zealing@ece.gatech.edu, Sutton, Akil K.1, Haugerud, Becca M.1, Cressler, John D.1, Marshall, Paul W.2, Reed, Robert A.3, El-Kareh, Badih4, Balster, Scott4, Yasuda, Hiroshi4
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. Dec2004 Part 2 of 3, Vol. 51 Issue 6, p3243-3249. 7p.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov2007 Part 2, Issue 1, p66000C-66000C-9, 9p
Autor:
Yuan, Jiahui, Zhu, Chendong, Cui, Yan, Cressler, John D., Niu, Guofu, Liang, Qingqing, Zhao, Enhai, Appaswamy, Aravind, Krithivasan, Ramkumar, Joseph, Alvin
Publikováno v:
2006 International Electron Devices Meeting; 2006, p1-4, 4p
Autor:
Zhao, Enhai, Krithivasan, Ramkumar, Sutton, Akil K., Jin, Zhenrong, Cressler, John D., El-Kareh, Badih, Balster, Scott, Yasuda, Hiroshi
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov2005, Issue 1, p132-142, 11p
Autor:
Celik-Butler, Zeynep, Ul Hoque, Md Mazhar, Zhao, Enhai, Lan, Darby, Weiser, Doug, Trogolo, Joe, Green, Keith
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov2003, Issue 1, p120-132, 13p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.