Zobrazeno 1 - 10
of 1 012
pro vyhledávání: '"Zhang, YiQiang"'
Autor:
Zhang, Yiqiang1 (AUTHOR), Heydari, Mohammad2 (AUTHOR), Kezhong, Jiang3 (AUTHOR) 20190024@lixin.edu.cn, Shi, Victor4 (AUTHOR)
Publikováno v:
Journal of Development Studies. Dec2024, p1-20. 20p.
Autor:
Bi, Yu, Li, Mengmeng, Wang, Yue, Yao, Junhan, Wang, Yuxuan, Wang, Siyi, Zhuang, Leixin, Liu, Shuang, Li, Ziwei, Hao, Zhichao, Guan, Wei, Pan, Juan, Jiang, Peng, Zhang, Yiqiang, Kuang, Haixue, Chen, Qingshan, Zhang, Lili, Yang, Bingyou, Liu, Yan
Publikováno v:
In Phytomedicine January 2025 136
Autor:
Liang, Yuncai, Xia, Junmin, Fan, Baojin, Liang, Chao, Yuan, Fangfang, Peng, Sihui, Sun, Qihang, Zhao, Rudai, Miao, Zhipeng, Zhang, Ting, Zhu, He, Liang, Wenlong, Xie, Yunhang, Chen, Shufen, Hu, Xiaotian, Zhang, Yiqiang, Li, Pengwei, Song, Yanlin
Publikováno v:
In Nano Today December 2024 59
Autor:
Zhang, Jinling, Jiang, Peng, Wang, Shuping, Li, Mengmeng, Hao, Zhichao, Guan, Wei, Pan, Juan, Wu, Jiatong, Zhang, Yiqiang, Li, Hua, Chen, Lixia, Yang, Bingyou, Liu, Yan
Publikováno v:
In Bioorganic Chemistry December 2024 153
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 17, 054011(2022)
Basal-plane dislocations (BPDs) pose a great challenge to the reliability of bipolar power devices based on the 4H silicon carbide (4H-SiC). It is well established that heavy nitrogen (N) doping promotes the conversion of BPDs to threading edge dislo
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2202.13508
Autor:
Peng, Sihui, Miao, Zhipeng, Liang, Yuncai, Zhao, Rudai, Yuan, Fangfang, Zhu, He, Liang, Wenlong, Shi, Yapeng, Li, Pengwei, Zhang, Yiqiang, Song, Yanlin
Publikováno v:
In Matter 2 October 2024 7(10):3500-3517
Autor:
Zhuang, Leixin, Xiao, Ke, Lu, Dongxv, Zhang, Yiqiang, Guan, Wei, Naseem, Anam, Chen, Qingshan, Zhang, Lili, Yang, Bingyou, Liu, Yan
Publikováno v:
In Microchemical Journal October 2024 205
The p-type doping efficiency of 4H silicon carbide (4H-SiC) is rather low due to the large ionization energies of p-type dopants. Such an issue impedes the exploration of the full advantage of 4H-SiC for semiconductor devices. In this letter, we show
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2104.10359
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.