Zobrazeno 1 - 10
of 3 091
pro vyhledávání: '"Zhang, Y. B."'
Publikováno v:
In Journal of Materials Science & Technology 20 December 2024 203:126-142
Autor:
Liu, J. Y., Yu, J., Ning, J. L., Yi, H. M., Miao, L., Min, L. J., Zhao, Y. F., Ning, W., Lopez, K. A., Zhu, Y. L., Pillsbury, T., Zhang, Y. B., Wang, Y., Hu, J., Cao, H. B., Balakirev, F., Weickert, F., Jaime, M., Lai, Y., Yang, Kun, Sun, J. W., Alem, N., Gopalan, V., Chang, C. Z., Samarth, N., Liu, C. X., Mcdonald, R. D., Mao, Z. Q.
Publikováno v:
NATURE COMMUNICATIONS 12:4062 (2021)
Spin-valley locking in the band structure of monolayers of MoS$_2$ and other group-VI dichalcogenides has attracted enormous interest, since it offers potential for valleytronic and optoelectronic applications. Such an exotic electronic state has spa
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1907.06318
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lei, B., Wang, N. Z., Shang, C., Meng, F. B., Ma, L. K., Luo, X. G., Wu, T., Sun, Z., Wang, Y., Jiang, Z., Mao, B. H., Liu, Z., Yu, Y. J., Zhang, Y. B., Chen, X. H.
We develop a novel field effect transistor (FET) device using solid ion conductor (SIC) as a gate dielectric, and we can tune the carrier density of FeSe by driving lithium ions in and out of the FeSe thin flakes, and consequently control the materia
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1609.07726
Autor:
Xiang, Z. J., Ye, G. J., Shang, C., Lei, B., Wang, N. Z., Yang, K. S., Liu, D. Y., Meng, F. B., Luo, X. G., Zou, L. J., Sun, Z., Zhang, Y. B., Chen, X. H.
In a semimetal, both electron and hole carriers contribute to the density of states at the Fermi level. The small band overlaps and multi-band effects give rise to many novel electronic properties, such as relativistic Dirac fermions with linear disp
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1504.00125
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Published in the proceedings of "16th Conference on Nuclear and Complementary Techniques of Analysis, AINSE, Lucas Heights, NSW, Australia" (OCT 2009)
We report room temperature ferromagnetism in as-implanted Eu doped ZnO (ZnO:Eu). To address the origin of ferromagnetism ab initio calculations of ZnO:Eu system are performed. Results show that the ferromagnetism is induced by ZnO point defects as Eu
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1006.3856