Zobrazeno 1 - 10
of 135
pro vyhledávání: '"Zhang, Manhong"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhang, Manhong, 1969
Continuing to scale down the transistor size makes the introduction of high-k dielectric necessary. However, there are still a lot of problems with highk transistors such as worse reliability and Fermi-level pinning. In HfO₂, low crystallization te
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/2152/17971
Autor:
Zhang, Manhong
Thesis (Ph. D.)--University of Texas at Austin, 2008.
Vita. Includes bibliographical references.
Vita. Includes bibliographical references.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhang, Manhong, Cai, Jianfeng, Gao, Feng, Zhang, Zongwei, Li, Mancang, Chen, Zhiyu, Wang, Yu, Hu, Ding, Tan, Xiaojian, Liu, Guoqiang, Yue, Song, Jiang, Jun
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces; 1/10/2024, Vol. 16 Issue 1, p907-914, 8p
