Zobrazeno 1 - 10
of 1 268
pro vyhledávání: '"Zhang, David Wei"'
Autor:
Zhao, Guo-Dong, Liu, Xingen, Xu, Zhongshan, Ren, Wei, Zhu, Xiaona, Zhang, David Wei, Yu, Shaofeng
Intertwined ionic conduction and ferroelectric (FE) switching in HfO2 lead to extensive focuses. To describe its fundamental phenomena, we present a free-energy model describing the potential of ferroelectrics with successive FE switching paths, and
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2302.02874
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 9/14/2024, Vol. 136 Issue 10, p1-6, 6p
Autor:
Ding, Si-Tong, Chen, Yu-Chang, Shi, Cai-Yu, Shen, Lei, Yu, Qiu-Jun, Ou, Lang-Xi, Gu, Ze-Yu, Chen, Na, Wang, Ting-Yun, Zhang, David Wei, Lu, Hong-Liang
Publikováno v:
In Journal of Materials Science & Technology 20 February 2025 209:19-26
Autor:
Qu, Haolan, Huang, Wei, Zhang, Yu, Sui, Jin, Yang, Ge, Chen, Jiaxiang, Zhang, David Wei, Wang, Yuangang, Lv, Yuanjie, Feng, Zhihong, Zou, Xinbo
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 1 March 2025 187
Autor:
Liao, Fuyou, Deng, Jianan, Chen, Xinyu, Wang, Yin, Zhang, Xinzhi, Liu, Jian, Zhu, Hao, Chen, Lin, Sun, Qingqing, Hu, Weida, Wang, Jianlu, Zhou, Jing, Zhou, Peng, Zhang, David Wei, Wan, Jing, Bao, Wenzhong
Two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs) based photodetectors have shown great potential for the next generation optoelectronics. However, most of the reported MoS2 photodetectors function under the photogating effect originated f
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1912.07880
Autor:
Liao, Fuyou, Sheng, Yaocheng, Guo, Zhongxun, Tang, Hongwei, Wang, Yin, Zong, Lingyi, Chen, Xinyu, Riaud, Antoine, Zhu, Jiahe, Xie, Yufeng, Chen, Lin, Zhu, Hao, Sun, Qingqing, Zhou, Peng, Jiang, Xiangwei, Wan, Jing, Bao, Wenzhong, Zhang, David Wei
Two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs) such as molybdenum disulfide (MoS2) have been intensively investigated because of their exclusive physical properties for advanced electronics and optoelectronics. In the present work, we s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1912.07885
Autor:
Liao, Fuyou, Guo, Zhongxun, Wang, Yin, Xie, Yufeng, Zhang, Simeng, Sheng, Yaochen, Tang, Hongwei, Xu, Zihan, Riaud, Antoine, Zhou, Peng, Wan, Jing, Fuhrer, Michael S., Jiang, Xiangwei, Zhang, David Wei, Chai, Yang, Bao, Wenzhong
In this work, we demonstrate a dual-gated (DG) MoS2 field effect transistors (FETs) in which the degraded switching performance of multilayer MoS2 can be compensated by the DG structure. It produces large current density (>100 {\mu}A/{\mu}m for a mon
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1912.07873
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.