Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"Zevenbergen, I.S."'
Autor:
Newman, R.C., Ashwin, M.J., Pritchard, R.E., Tucker, J.H., Lightowlers, E.C., Gregorkiewicz, T., Zevenbergen, I.S., Ammerlaan, C.A.J., Falster, R., Binns, M.J.
Publikováno v:
Materials Science Forum, 258-263, 379-384. Trans Tech Publications
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::028fc040ed1b8f54f80742088d918617
https://dare.uva.nl/personal/pure/en/publications/shallow-thermal-donors-in-annealed-cz-silicon-and-links-to-the-nl10-spectrum-the-relevance-of-h-al-and-n-impurities(b656c208-1860-472c-8f5a-ea6b48c253ad).html
https://dare.uva.nl/personal/pure/en/publications/shallow-thermal-donors-in-annealed-cz-silicon-and-links-to-the-nl10-spectrum-the-relevance-of-h-al-and-n-impurities(b656c208-1860-472c-8f5a-ea6b48c253ad).html
Autor:
Bercu, M., Zevenbergen, I.S., Gregorkiewicz, T., Ammerlaan, C.A.J., Tate, T., Ivanov, E., Pajot, B.
Publikováno v:
Shallow-Level Centers in Semiconductors, 405-410
STARTPAGE=405;ENDPAGE=410;TITLE=Shallow-Level Centers in Semiconductors
STARTPAGE=405;ENDPAGE=410;TITLE=Shallow-Level Centers in Semiconductors
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::bc5035928ec4672ca425e860699086ae
https://dare.uva.nl/personal/pure/en/publications/annealing-behavior-of-crystalline-silicon-heavily-implanted-with-oxygen-at-low-temperature(88fd8411-a5a0-4cfc-9085-8fd83d42a5ac).html
https://dare.uva.nl/personal/pure/en/publications/annealing-behavior-of-crystalline-silicon-heavily-implanted-with-oxygen-at-low-temperature(88fd8411-a5a0-4cfc-9085-8fd83d42a5ac).html
Publikováno v:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology; January 1996, Vol. 36 Issue: 1-3 p138-141, 4p
Autor:
Newman, R.C., Ashwin, M.J., Pritchard, R.E., Tucker, J.H., Lightowlers, Edward C., Gregorkiewicz, T., Zevenbergen, I.S., Ammerlaan, C.A.J., Falster, Robert J., Binns, M.J.
Publikováno v:
Materials Science Forum; December 1997, Vol. 258 Issue: 1 p379-384, 6p
Publikováno v:
Materials Science Forum; November 1995, Vol. 196 Issue: 1 p855-860, 6p
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; July 1995, Vol. 47 Issue: 1 p267-274, 8p
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.