Zobrazeno 1 - 10
of 196
pro vyhledávání: '"Zeng, Hualing"'
Autor:
Ding, Zhe, Chen, Zhousheng, Fan, Xiaodong, Zhang, Weihui, Fu, Jun, Sun, Yumeng, Cheng, Zhi, Yu, Zhiwei, Yang, Kai, Li, Yuxin, Liu, Xing, Wang, Pengfei, Wang, Ya, Jiang, Jianhua, Zeng, Hualing, Zeng, Changgan, Shi, Guosheng, Shi, Fazhan, Du, Jiangfeng
The one-dimensional side gate based on graphene edges shows a significant capability of reducing the channel length of field-effect transistors, further increasing the integration density of semiconductor devices. The nano-scale electric field distri
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2409.14942
Autor:
Li, Yuxin, Ding, Zhe, Wang, Chen, Sun, Haoyu, Chen, Zhousheng, Wang, Pengfei, Wang, Ya, Gong, Ming, Zeng, Hualing, Shi, Fazhan, Du, Jiangfeng
Critical fluctuations play a fundamental role in determining the spin orders for low-dimensional quantum materials, especially for recently discovered two-dimensional (2D) magnets. Here we employ the quantum decoherence imaging technique utilizing ni
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.00647
We demonstrate a 2D ferroelectric heterostructure with monolayer MoSe$_2$ and CuInP$_2$S$_6$ (CIPS). In the heterostructure, the electric polarization of CIPS results in c electronic modulation in monolayer MoSe$_2$.
Comment: 8 pages, 4 figures
Comment: 8 pages, 4 figures
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2011.04985
Autor:
Li, Yue, Chen, Chen, Li, Wei, Mao, Xiaoyu, Liu, Heng, Xiang, Jianyong, Nie, Anmin, Liu, Zhongyuan, Zhu, Wenguang, Zeng, Hualing
Tuning the electric properties of crystalline solids is at the heart of material science and electronics. Generating the electric field-effect via an external voltage is a clean, continuous and systematic method. Here, utilizing the unique electric d
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2005.04926
Autor:
Wang, Pang, Ren, Yafei, Tang, Fangdong, Wang, Peipei, Hou, Tao, Zeng, Hualing, Zhang, Liyuan, Qiao, Zhenhua
The discovery of quantum Hall effect in two-dimensional (2D) electronic systems inspired the topological classifications of electronic systems1,2. By stacking 2D quantum Hall effects with interlayer coupling much weaker than the Landau level spacing,
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2003.04519
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wan, Siyuan, Li, Yue, Li, Wei, Mao, Xiaoyu, Wang, Chen, Dong, Jiyu, Nie, Anmin, Xiang, Jianyong, Liu, Zhongyuan, Zhu, Wenguang, Zeng, Hualing
Recent experiments on layered {\alpha}-In2Se3 have confirmed its room-temperature ferroelectricity under ambient condition. This observation renders {\alpha}-In2Se3 an excellent platform for developing two-dimensional (2D) layered-material based elec
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1810.05328