Zobrazeno 1 - 10 of 152 pro vyhledávání: '"Zemon, S."'
1
Akademický článek
Characterization of Er3+-doped glasses by fluorescence line narrowing.
Autor: Zemon, S., Lambert, G., Andrews, L. J., Miniscalco, W. J., Hall, B. T., Wei, T., Folweiler, R. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/1991, Vol. 69 Issue 10, p6799, 13p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy in a magnetic field for GaAs grown on a Si substrate.
Autor: Zemon, S., Lee, J., Lambert, G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/1/1989, Vol. 65 Issue 11, p4382, 6p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Analysis of fluorescence line shapes for free-to-bound transitions in semiconductors.
Autor: Bartram, R. H., Vassell, M. O., Zemon, S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/15/1986, Vol. 60 Issue 12, p4248, 5p, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Photoluminescence spectra and line-shape synthesis of a conduction-band-to-deep-acceptor transition in GaAs:Sn.
Autor: Zemon, S., Vassell, M. O., Lambert, G., Bartram, R. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/15/1986, Vol. 60 Issue 12, p4253, 6p, 1 Chart, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Accurate electron probe determination of aluminum composition in (Al, Ga)As and correlation with the photoluminescence peak.
Autor: Miller, N. C., Zemon, S., Werber, G. P., Powazinik, W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/1985, Vol. 57 Issue 2, p512, 4p, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Photoluminescence spectra in an applied magnetic field for excitons bound to ionized donors in high-purity, epitaxial GaAs.
Autor: Zemon, S., Lambert, G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/1991, Vol. 70 Issue 9, p4909, 10p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Analysis of free-to-bound flourescence line shapes for a deep level in GaAs:Sn.
Autor: Zemon, S., Vassell, M. O., Lambert, G., Bartram, R. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1982, Vol. 53 Issue 4, p3347-3349, 3p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Pressure Enhancement of the Net Acoustic Gain in Piezoelectric Semiconductors.
Autor: Zemon, S., Zucker, J., Adler, P. N.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1970, Vol. 41 Issue 10, p4008-4010, 3p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Excited-state-absorption cross sections and amplifier modeling in the 1300-nm region for Nd-doped glasses.
Autor: Zemon, S., Pedersen, B., Lambert, G., Miniscalco, W.J., Hall, B.T., Folweiler, R.C., Thompson, B.A., Andrews, L.J.
Publikováno v: IEEE Photonics Technology Letters; 1992, Vol. 4 Issue 3, p244-247, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje