Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"Zayachuk D. M."'
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 3, Pp 50-53 (2010)
It is shown that for epitaxial InP layers obtained by liquid-phase epitaxy complex dopping of indium melts by optimal concentrations of rare-earth Yb and isovalent element Al promotes useful increase of cleaning effect from background impurities and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6edc77f8daeb492589dc36f8a03f90de
Sputtering of PbTe crystals by Ar plasma with ion energies 50-550 eV is investigated. A dependence of sputter yields of the Te and Pb on the sputtering ion energy and sputtering time is measured. New phenomena: aperiodical oscillations of Pb and Te s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1701.01597
We have investigated morphology of the lateral surfaces of PbTe crystal samples grown from melt by the Bridgman method sputtered by Ar+ plasma with ion energy of 50-550 eV for 5-50 minutes under Secondary Neutral Mass Spectrometry (SNMS) conditions.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1701.01601
Autor:
Zayachuk, D. M., Slobodskyy, T., Astakhov, G. V., Slobodskyy, A., Gould, C., Schmidt, G., Ossau, W., Molenkamp, L. W.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 83, 085308 (2011)
Photoluminescence (PL) of the 50 nm $Zn_{0.9}Be_{0.05}Mn_{0.05}Se$/ $d$ nm $Zn_{0.943}Be_{0.057}Se$/ 2.5 nm $ZnSe$/ 30 nm $Zn_{0.943}Be_{0.057}Se$ structures is investigated as a function of magnetic field ($B$) and thickness ($d$) of intermediate $Z
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1101.0251
Autor:
Zayachuk, D. M., Slobodskyy, T., Astakhov, G. V., Gouldınst, C., Schmidt, G., Ossau, W., Molenkamp, L. W.
Publikováno v:
EPL, 91 (2010) 67007
Investigations of photoluminescence (PL) in the magnetic field of quantum structures based on the ZnSe quantum well with asymmetrical ZnBeMnSe and ZnBeSe barriers reveal that the introduction of Be into semimagnetic ZnMnSe causes a decrease of the ex
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1009.1490
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physics and Chemistry of Solid State; Vol 18, No 1 (2017); 21-28
Фізика і хімія твердого тіла; Vol 18, No 1 (2017); 21-28
Фізика і хімія твердого тіла; Vol 18, No 1 (2017); 21-28
Formation of the Pb and Te sputtered phase under exposure of the lateral surface of PbTe crystals grown from melt by the Bridgman method by Ar+ plasma at Secondary Neutral Mass Spectrometry (SNMS) conditions and re-deposition of the sputtered species
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=vasylstefany::472a41478ad74f88979f78f35a516c68
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/2245
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/2245
Autor:
Zayachuk, D. M.1 zayachuk@polynet.lviv.ua, Ilyina, O. S.1, Kaczorowski, D.2, Mikityuk, V. I.3, Shlemkevych, V. V.3
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2013, Vol. 16 Issue 4, p336-343. 8p.