Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Zauri D. Chakhnakia"'
Autor:
Roland Diehl, Givi D. Kalandadzes, Zauri D. Chakhnakia, Albert A. Tutunjan, Nina A. Tutunjan, Nina Khuchua, Revaz G. Melkadze, Levan Khvedelidze
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Possibilities of gallium arsenide technology in Georgia to fabricate microelectronic devices are described. Characteristics of technological processes and parameters of active and passive components for digital and analog IC's are given. A concept of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e1964e1ba5504e53cb23b41696dfc815
https://doi.org/10.1117/12.558416
https://doi.org/10.1117/12.558416
Autor:
Zauri D. Chakhnakia, G. Peradze, Levan Khvedelidze, Zacharias Hatzopoulos, Nina Khuchua, Tatiana Sakharova, Revaz G. Melkadze
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Molecular-beam - grown epitaxy heterostructure field-effect transistors employing a delta-doped channel have been fabricated and investigated. The results of studies of DC parameters of δ-FET's of different configuration can be regarded as the best
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9779a2108e2059dc22dc550ed3ffd3fb
https://doi.org/10.1117/12.558432
https://doi.org/10.1117/12.558432
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.