Zobrazeno 1 - 10
of 560
pro vyhledávání: '"Zahn, D R T"'
Autor:
Cho, Yujin, Anderson, Sean M., Mendoza, Bernardo S., Okano, Shun, Carriles, Ramon, Arzate, N., Shkrebtii, Anatoli I., Wu, Di, Lai, Keji, Zahn, D. R. T., Downer, M. C.
In this work, we report linear and non-linear spectroscopic measurements of chemically-grown layered (from one to 37 quintuple layers) and bulk alpha-In2Se3 samples over a photon energy range of 1.0--4 eV, and compare with ab initio density functiona
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1911.01784
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wang, Y., Liu, Y., Wang, G., Anwand, W., Jenkins, C., Arenholz, E., Munnik, F., Gordan, O., Salvan, G., Zahn, D. R. T., Chen, X., Gemming, S., Helm, M., Zhou, S.
Publikováno v:
Scientific Reports 5, 8999 (2015)
Ferromagnetism can occur in wide-band gap semiconductors as well as in carbon-based materials when specific defects are introduced. It is thus desirable to establish a direct relation between the defects and the resulting ferromagnetism. Here, we con
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1503.00487
Autor:
Khalid, M., Gao, Kun, Weschke, E., Huebner, R., Baehtz, C., Gordan, O., Salvan, G., Zahn, D. R. T., Skorupa, W., Helm, M., Zhou, Shengqiang
Publikováno v:
J. Appl. Phys. 117, 043906 (2015)
The manganese induced magnetic, electrical and structural modification in InMnP epilayers, prepared by Mn ion implantation and pulsed laser annealing, are investigated in the following work. All samples exhibit clear hysteresis loops and strong spin
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1501.03597
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
In all printed OFETs with Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/ poly(styrenesulfonate) (PEDOT/ PSS) gate, offset printing and gravure of electrically dense sub-$\mu$ insulators from polyvinylphenol (PVPh), polyvinyl alcohol (PVOH) and poly(methyl methacr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0411372
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bortchagovsky, E., Demydenko, Yu., Bogoslovskaya, A., Tang, J., Dai, F., Fleischer, M., Milekhin, I., Sharma, A., Salvan, G., Zahn, D. R. T.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 1/28/2022, Vol. 131 Issue 4, p1-5, 5p
