Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Zafar, Salahuddin"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Imran Nawaz, Muhammad, Zafar, Salahuddin, Gurdal, Armagan, Cankaya Akoglu, Busra, Ozbay, Ekmel
Publikováno v:
International Journal of Circuit Theory & Applications; Aug2024, Vol. 52 Issue 8, p4148-4163, 16p
Autor:
Zafar, Salahuddin1,2 (AUTHOR) salahuddin.zafar@bilkent.edu.tr, Aras, Erdem1,2 (AUTHOR), Akoglu, Busra Cankaya2 (AUTHOR), Tendurus, Gizem2 (AUTHOR), Nawaz, Muhammad Imran1,2 (AUTHOR), Kashif, Ahsanullah3 (AUTHOR), Ozbay, Ekmel1,2,4,5 (AUTHOR)
Publikováno v:
International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering. Nov2022, Vol. 32 Issue 11, p1-13. 13p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zafar, Salahuddin
Cataloged from PDF version of article. Thesis (Ph.D.): Bilkent University, Department of Electrical and Electronics Engineering, İhsan Doğramacı Bilkent University, 2022. Includes bibliographical references (leaves 74-93). Gallium nitride (GaN) hi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3533::21be9903b91674c6b11a8171d1e84d65
https://hdl.handle.net/11693/111892
https://hdl.handle.net/11693/111892
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zafar, Salahuddin, Durna, Yilmaz, Kocer, Hasan, Akoglu, Busra Cankaya, Aras, Yunus Erdem, Odabasi, Oguz, Butun, Bayram, Ozbay, Ekmel
Publikováno v:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability; 2023, Vol. 23 Issue: 1 p72-79, 8p