Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"Zacharaki Christina"'
Autor:
Siannas, Nikitas1,2 (AUTHOR), Zacharaki, Christina1,2 (AUTHOR), Tsipas, Polychronis1 (AUTHOR), Chaitoglou, Stefanos1 (AUTHOR), Bégon-Lours, Laura3 (AUTHOR), Istrate, Cosmin4 (AUTHOR), Pintilie, Lucian4 (AUTHOR), Dimoulas, Athanasios1 (AUTHOR) a.dimoulas@inn.demokritos.gr
Publikováno v:
Communications Physics. 7/6/2022, Vol. 5 Issue 1, p1-10. 10p.
Autor:
Siannas, Nikitas, Zacharaki, Christina, Tsipas, Polychronis, Kim, Dong Jik, Hamouda, Wassim, Istrate, Cosmin, Pintilie, Lucian, Schmidbauer, Martin, Dubourdieu, Catherine, Dimoulas, Athanasios
Publikováno v:
Advanced Functional Materials; Feb2024, Vol. 34 Issue 8, p1-14, 14p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zacharaki Christina
Το διηλεκτρικό υλικό HfO2 έχει χρησιμοποιηθεί εκτενώς τα τελευταία χρόνια και έχει μπει σε βιομηχανική παραγωγή από το 2007 σαν διηλεκτρικό
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2127::c9aedb6aeb81379989b893090cb97525
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:3245419
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:3245419
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
One monolayer semimetallic HfTe2 thin films are grown on three substrates with different electronic properties in order to study the substrate effect on the electronic structure of the HfTe2 epilayer. Angle resolved photoelectron spectroscopy measure
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2127::bb8b5af5f745645de8ce2ff50fe0c69e
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:3031960
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:3031960
Autor:
Siannas, Nikitas, Zacharaki, Christina, Tsipas, Polychronis, Chaitoglou, Stefanos, Bégon-Lours, Laura, Istrate, Cosmin, Pintilie, Lucian, Dimoulas, Athanasios
Publikováno v:
Communications Physics; 7/6/2022, Vol. 5 Issue 1, p1-10, 10p
Autor:
Zacharaki, Christina, Tsipas, Polychronis, Chaitoglou, Stefanos, Bégon-Lours, Laura, Halter, Mattia, Dimoulas, Athanasios
The reliability of Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) metal-ferroelectric-semiconductor capacitors grown by plasma assisted atomic oxygen deposition on Ge substrates is investigated with an emphasis on the influence of crystallization annealing. The capacitors show
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2659::00102ccf1681d5f526f41efc5e322398
https://zenodo.org/record/4288888
https://zenodo.org/record/4288888
Autor:
Zacharaki Christina, Tsipas Polychronis, Chaitoglou Stefanos, Evangelou Evangelos, Istrate Cosmin, Pintilie Lucian, Dimoulas Athanasios
Germanium Metal-Ferroelectric-Semiconductor (MFS) capacitors based on ferroelectric Hf1−xZrxO2 (HZO) with clean, oxide free Ge/HZO interfaces emerge as an interesting layer structure for the fabrication of ferroelectric field effect transistor (FeF
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2659::831b41a559852905b1dffa9d21c88ac8
https://zenodo.org/record/3816661
https://zenodo.org/record/3816661