Zobrazeno 1 - 10
of 170
pro vyhledávání: '"Z.R. Guo"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Z.R. Guo, A.H. Abu Hanipah
Publikováno v:
Asian Journal of Water, Environment and Pollution. 16:15-24
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Removal of various pollutants using constructed wetland with selected plants in humid tropical areas
Publikováno v:
7th Brunei International Conference on Engineering and Technology 2018 (BICET 2018).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Z.R. Guo, Ding-Xuan Zhou
Publikováno v:
Journal of Mathematical Analysis and Applications. 195(2):323-334
The concept of locally Hölder continuous functions with exponent α (0 < α ≤ 1) on a subset E subset of [0, ∞) is defined. This definition includes the concepts of globally Hölder continuous functions and of locally Hölder continuous function
Publikováno v:
Journal of dairy science. 96(1)
We studied the effect of iron saturation level on the osteogenic activity of lactoferrin (LF) in vitro and in vivo. Different iron saturation levels of LF (1.0, 9.0, 38, 58, and 96%) were prepared as the following samples: apo-LF, LF-9, LF-38, LF-58,
Publikováno v:
ICSE'98. 1998 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics. Proceedings (Cat. No.98EX187).
Silicon crystalline defects in production silicon wafers affect the yield. In this paper, the 155 Wright etch was used to identify the root causes of silicon crystalline defects. A few low yield cases are studied and the different types of crystallin