Zobrazeno 1 - 10
of 52
pro vyhledávání: '"Z.L Miao"'
Publikováno v:
Applied Surface Science. 252:3436-3440
We report a method to grow thin strain-released InAs layer on GaAs (1 0 0) substrates by molecular beam epitaxy. We have shown that by controlling the growth parameters, a thin 2D InAs layer can be grown during initial stages, which eventually serves
Autor:
Z.L Miao, Ping Chen, Z. F. Li, Xianzhang Yuan, Weiwei Cai, M.Q Li, Wendong Xu, Chenlong Chen, Dezhang Zhu, Jun Hu, G.L Shi, Xi Shen, Peng Liu, Wei Lu
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. :132-137
Adopting mask during proton implantation, we obtain several areas with different proton implantation in a single wafer of GaAs/AlGaAs asymmetrically coupled double quantum wells (ACDQW) grown by MBE, and investigated the characteristics using photolu
Publikováno v:
Physics Letters A. 273:271-275
We have studied the optical properties of surface quantum wells with different width of wells (5 nm and 10 nm) by in-situ photo-modulated reflectance spectroscopy on molecular beam epitaxy (MBE) system. The single surface quantum well (SQW) is confin
Publikováno v:
Fourth International Conference on Thin Film Physics and Applications.
The photothermal ionization spectroscopy (PTIS) has been employed to study Be shallow acceptor states in GaAs grown by MBE. We have observed the G line, D line and C line transitions which are from the ground state 1s3/2((Gamma) 8+) of Be acceptor to
Autor:
W. Y. Cai, Shuechu Shen, Xianzhang Yuan, Guo Liang Shi, Pulin Liu, Z.L. Miao, Wenlan Xu, Zhang Li, P. P. Chen, Wei Lu
Publikováno v:
Fourth International Conference on Thin Film Physics and Applications.
We have studied the energy band transitions between confined sub-bands in 10 nm surface quantum well based on in-situ Photo-modulated Reflectance (PR) Spectrum in Molecular Beam Epitaxy system. The single surface quantum well (SQW) is confined by the
Publikováno v:
Fourth International Conference on Thin Film Physics and Applications.
This paper reports the molecular beam epitaxy growth of the GaAs films on the SrTiO3 (100) substrates. The microstructures of the films are characterized by XRD and SEM. SEM results show the different shapes of islands at different thickness. Micro-R
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.