Zobrazeno 1 - 10
of 55
pro vyhledávání: '"Z.K. Jiang"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Alloys and Compounds. 769:27-36
The surface modification of the equiatomic CoCrFeNi high-entropy alloy has been studied via solid carburization at 920 °C for 10 h. Microstructure, hardness and wear resistance were investigated by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microsco
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 355:521-524
The existence of special covalently bonded short-range ordering structures in a Mg65Cu25Tb10 bulk metallic glass (BMG) is confirmed by thermal expansion and compression behavior. Under ambient conditions the linear thermal expansion coefficient obtai
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 132:414-418
The technique for growing a GaP layer with both a smooth surface and a low carrier concentration is described. It is reported that a very high V/III ratio is necessary to grow a GaP layer on Si with a flat and smooth surface, but from the characteris
Publikováno v:
Applied Surface Science. :380-384
The GaP/Si interfaces grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) under various V/III ratios are characterized by conventional and high-resolution transmission electron microscopy. The origin of defects such as dislocations and microtwins
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 115:154-157
In this paper, heteroepitaxial growth of InP on Si(100) substrates with GaAs/GaP intermediate layers using low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) is studied. A five-period (150 A/150 A) InxGa1−xAs/InP(0.13< x