Zobrazeno 1 - 10
of 130
pro vyhledávání: '"Z.-S. Han"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
L D Xu, L C Gao, T Ni, J J Wang, S S Zhao, H Y Zhang, Y F Li, R J Wang, X J Li, W W Yan, D L Li, J H Bu, C B Zeng, B Li, Z J Wang, F Z Zhao, J J Luo, Z S Han
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 56:075103
Partially-depleted silicon-on-insulator (PDSOI) MOSFETs with full dielectric isolation structure are widely used in the high temperature field of 225 °C, but affected by the threshold voltage and carrier mobility, the saturated output current has a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::58a1c0eb21c7afc954dd3ac5b9257520
https://doi.org/10.1088/1361-6463/acb449
https://doi.org/10.1088/1361-6463/acb449
Autor:
S S Zhao, L C Gao, X J Li, H Y Zhang, T Ni, J J Wang, J T Gao, J H Bu, D L Li, W W Yan, C B Zeng, Z J Wang, F Z Zhao, J J Luo, Z S Han
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 55:225104
Partially depleted silicon-on-insulator (PDSOI) MOSFETs are widely used in 225 °C high-temperature electronic system applications with integrated circuits. But the process node stays at 0.5 µm for a long time and no further breakthrough can be achi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5b7d3429012a1ccb230e94fca568a732
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac569b
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac569b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nature Neuroscience. 1:218-225
Pain and temperature stimuli activate neurons of lamina I within the dorsal horn of the spinal cord, and although these neurons can be classified into three basic morphological types and three major physiological classes, earlier studies did not esta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::90a0479321a1d74ca864573d25f292ef
https://doi.org/10.1038/665
https://doi.org/10.1038/665
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics A Materials Science & Processing. 62:391-395
The electrical properties of the SiO2/n-type Si(100) interface, where the silicon-oxide layer was grown by an electrodeless rf oxygen-plasma-cathodization technique, were investigated usingC-V and DLTS methods. Interface traps with high density in th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9cedbe9406523e1dfd67c09769398274
https://doi.org/10.1007/bf01594239
https://doi.org/10.1007/bf01594239
Publikováno v:
Applied Physics A: Materials Science & Processing. 62:391-395
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7a3aba207999ca3586fbc3d91c4fb9e6
https://doi.org/10.1007/s003390050315
https://doi.org/10.1007/s003390050315