Zobrazeno 1 - 10
of 60
pro vyhledávání: '"Z. W. Shang"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 485-489 (2020)
In this paper, we investigated the performance of an n-type tin-oxide (SnOx) thin film transistor (TFT) by experiments and simulation. The fabricated SnOx TFT device by oxygen plasma treatment on the channel exhibited n-type conduction with an on/off
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/18af6d2cddc44e7eafc20ae73ab753e7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Photosynthetica. 49:523-530
Periodic drought fluctuation is a common phenomenon in Northwest China. We analyzed the response of Chinese dwarf cherry (Cerasus humilis) seedlings, a dwarf shrub species with considerably strong adaptabilities, exposed to water stress (WS) by withh
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.