Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"Z. Takkouk"'
Publikováno v:
Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 107:1067-1072
Thermal analysis techniques remain important tools amongst the large variety of methods used for analysis of the dehydroxylation of kaolinite. In the present study, the kinetics of dehydroxylation of Algerian kaolinite, wet ball milled for 5 h follow
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 145:6-10
We have used reactive magnetron co-sputtering to grow Zn 0.95 Co 0.05 O dilute magnetic semiconductor (DMS) on 400 nm thick of (0 0 0 1) Al 2 O 3 substrate at 600 °C. After deposition the films were irradiated by ArF excimer laser ( λ = 193 nm, τ
Publikováno v:
Mater. Sci. Eng. B
Mater. Sci. Eng. B, 2007, 137, pp. 49-52
Mater. Sci. Eng. B, 2007, 137, pp. 49-52
It is well known that the CdTe material suffers from the presence of native defects, due to the introduction of dislocations by pressure owing to its mechanical brittleness. Within this framework, we present a study of the dislocations effect on the
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. 366:185-191
Vickers microindentation of bulk ( 0 0 0 1 ¯ ) ZnO single crystal has been studied by means of a scanning microscope using cathodoluminescence (CL) monochromatic imaging and spectral modes. A main feature of the sample's deformation is the propagati
Publikováno v:
Thin Solid Films. 250:206-212
Hexamethyldisiloxane (HMDSO) has been used as a precursor for the deposition of silicon dioxide films at low substrate temperature (25–400°C) by plasma enhanced chemical vapour deposition processing. Effects of the partial pressure of oxygen in th
Publikováno v:
Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2008, 103, pp.084504_1-5
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2008, 103, pp.084504_1-5
The effect of hydrogenation on defects associated with dislocations has been studied in the p-type Cd0.96Zn0.04Te (CZT) semiconductor, grown by the horizontal Bridgman method, with the help of current I(V), capacity C(V) measurements, photoluminescen
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 9/14/2022, Vol. 132 Issue 10, p1-8, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.