Zobrazeno 1 - 10
of 174
pro vyhledávání: '"Z. Stanojevic"'
Autor:
M. Thesberg, Z. Stanojevic, O. Baumgartner, C. Kernstock, D. Leonelli, M. Barci, X. Wang, X. Zhou, H. Jiao, G.L. Donadio, D. Garbin, T. Witters, S. Kundu, H. Hody, R. Delhougne, G. Kar, M. Karner
Owing to the increasing interest in the commercialization of phase-change memory (PCM) devices, a number of TCAD models have been developed for their simulation. These models formulate the melting, amorphization and crystallization of phase-change ma
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4162c07533c5f97553bcd5bf1c7e9376
http://arxiv.org/abs/2211.06084
http://arxiv.org/abs/2211.06084
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C. Maneux, C. Mukherjee, M. Deng, M. Dubourg, L. Reveil, G. Bordea, A. Lecestre, G. Larrieu, J. Trommer, E.T. Breyer, S. Slesazeck, T. Mikolajick, O. Baumgartner, M. Karner, D. Pirker, Z. Stanojevic, David Atienza, A. Levisse, G. Ansaloni, A. Poittevin, A. Bosio, D. Deleruyelle, C. Marchand, I. O'Connor
Publikováno v:
67th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2021)
67th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2021), Dec 2021, San Fransisco, United States
67th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2021), Dec 2021, San Fransisco, United States. ⟨10.1109/IEDM19574.2021.9720572⟩
67th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2021), Dec 2021, San Fransisco, United States
67th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2021), Dec 2021, San Fransisco, United States. ⟨10.1109/IEDM19574.2021.9720572⟩
International audience; This paper presents the set of simulation means used to develop the concept of N2C2 (neural network compute cube) based on a vertical transistor technology platform. On the basis of state-of-the-art junctionless nanowire trans
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2a1ae526447b123b541f838a5cb77150
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03408078
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03408078
Autor:
D. Verreck, A. Arreghini, F. Schanovsky, G. Rzepa, Z. Stanojevic, F. Mitterbauer, C. Kernstock, O. Baumgartner, M. Karner, G. Van den bosch, M. Rosmeulen
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S., Ignjatovic, Nebojsa, D., Randjelovic, Tomislav, P., Stojanovic, Miroslav, Z., Stanojevic, Goran, N., Djordjevic, Miodrag
Publikováno v:
Gastric Cancer-An Update
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=intech______::24280caf52297cbbc463bc0a01fd26bf
http://www.intechopen.com/articles/show/title/reconstructive-procedures-after-total-gastrectomy-for-gastric-cancer
http://www.intechopen.com/articles/show/title/reconstructive-procedures-after-total-gastrectomy-for-gastric-cancer
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.