Zobrazeno 1 - 10
of 779
pro vyhledávání: '"Z. H. Mai"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D. D. Wang, Y. M. Huang, P. K. Tan, H. Feng, G. R. Low, H. H. Yap, R. He, H. Tan, M. K. Dawood, Y. Z. Zhao, J. Lam, Z. H. Mai
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 5, Iss 12, Pp 127101-127101-9 (2015)
Presently two major limiting factors are hindering the failure analysis (FA) development during the semiconductor manufacturing process and technology improvement: (1) Impossibility of manual polishing on the edge dies due to the amenability of layer
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3e708bfef28e413f9494fa8a262fc38c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. P. Neo, J.C. Lam, G. B. Ang, S. L. Ting, C. W. Soo, H. H. Ma, C. Q. Chen, A. C. T. Quah, Z. H. Mai, D. Nagalingam
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. :255-260
This paper described a low yield case which resulted in a donut shape failing pattern. It also described a scenario where static fault localization is ineffective and a systematic problem solving approach based on symptoms, induction, hypothesis and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::04eddcb2500cec96f1fe7ebc20f79817
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2017.07.036
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2017.07.036
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D. Nagalingam, Sj. Moon, Hp. Ng, J.C. Lam, Y.S. Tam, Z. H. Mai, A. C. T. Quah, C.Q. Chen, G. B. Ang, K.H. Yip, P.T. Ng
Publikováno v:
2018 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA).
Successful fault localization is heavily dependent on the ability to replicate the failure mode in the analytical scanning optical microscope (SOM) system for defect isolation. However, typical SOM configuration with confined stage space is limited t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ec5266ad1798231503bd41232609fe46
https://doi.org/10.1109/ipfa.2018.8452583
https://doi.org/10.1109/ipfa.2018.8452583
Autor:
H.H. Ma, D. Nagalingam, S.P. Neo, A. C. T. Quah, S.J. Moon, J.C. Lam, S.L. Ting, Z. H. Mai, G. B. Ang
Publikováno v:
2018 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA).
Studies on defect induced emission characteristics have significantly enhanced the effectiveness of static fault localization on functional logic failures due to open and short defects. In this paper, using the distinctive differences in the defect-i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ce1b0e4b5a59178a0bd9c7c8a3de2486
https://doi.org/10.1109/ipfa.2018.8452572
https://doi.org/10.1109/ipfa.2018.8452572