Zobrazeno 1 - 10
of 2 151
pro vyhledávání: '"Z. H., Wu"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 89-95 (2021)
The ESD effects on the E-mode AlGaN/GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) with p-GaN gate are investigated under repetitive TLP pulses. Firstly, the degradation and recovery of output, transfer characteristics, gate-leakage characteristics a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1993ad0d1e754c7fb7bb79a994f0335b
Publikováno v:
Brazilian Journal of Biology, Vol 81, Iss 3, Pp 526-536 (2021)
Abstract To investigate the optimal androgen concentration for culturing Hetian sheep wool follicle and to detect effects of androgen concentration on wool follicle cell proliferation and apoptosis using immunofluorescence labeling and real-time quan
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7179763ec0b74f14b57bb78ab3b33285
Autor:
X. S. Dong, X. X. Chen, Z. S. Gai, J. T. Zhai, X. F. Guo, X. L. Han, S. H. Zhang, Z. H. Wu, Z. J. Li
Publikováno v:
Contemporary Problems of Ecology. 16:230-252
Autor:
Z. R. Xiao, H. L. Zhu, Q. Wang, Z. Chen, Z. Y. Liu, Y. K. Zhang, Z. J. Yan, Y. F. Shi, N. Zhou, J. J. Li, J. F. Gao, X. Z. Ai, S. S. Lu, W. X. Huang, W. J. Xiong, Z. Z. Kong, J. J. Xiang, Y. Zhang, J. Zhao, J. B. Liu, Y. H. Lu, G. B. Bai, X. B. He, A. Y. Du, H. Yang, T. Yang, Z. H. Wu, J. F. Li, J. Luo, W. W. Wang, T. C. Ye
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 70:1380-1385
Publikováno v:
ISPRS Annals of the Photogrammetry, Remote Sensing and Spatial Information Sciences, Vol IV-3, Pp 285-292 (2018)
Accurate mapping of soil carbon in low relief areas is of great challenge because of the defect of conventional “soil-landscape” model. Efforts have been made to integrate the land use information in the modelling and mapping of soil organic carb
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e7e93bbba1fc41a5994f2a3851e67eb8
Autor:
Z. R. Xiao, Q. Wang, H. L. Zhu, Z. Chen, Y. K. Zhang, J. J. Li, N. Zhou, J. F. Gao, X. Z. Ai, S. S. Lu, W. X. Huang, W. J. Xiong, Z. Z. Kong, J. J. Xiang, Y. Zhang, J. Zhao, J. B. Liu, Y. H. Lu, G. B. Bai, X. B. He, A. Y. Du, Z. H. Wu, T. Yang, J. F. Li, J. Luo, W. W. Wang, T. C. Ye
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 43:1183-1186
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.