Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Z. Elateche"'
Autor:
Z. Elateche, M.S. Aida
Publikováno v:
Journal of Fundamental and Applied Sciences, Vol 11, Iss 1 (2018)
Due to the fundamental role played by the interaction electron-matter in scanning electron microscopy (Electron Beam Induced Current -EBIC- in Silicon case), a Monte Carlo calculation model of this interaction applied in silicon nanostructure (nano-f
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/01d0e2f7b29d41e5ad4d2b7c6f35ebf4
Publikováno v:
Surface and Interface Analysis. 39:752-755
This work is a self-consistent calculation model of the GaAs surface charge under electronic bombardment. The surface charge due to surface defects can be influenced by the electron-hole pair generated at the surface zone (in the depletion region). N
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cb80e4d8dfe694eb0e95b3ee39f19c9d
https://doi.org/10.1002/sia.2584
https://doi.org/10.1002/sia.2584
Autor:
Z ELATECHE, A NOUIRI
Publikováno v:
Sciences & Technologie, Vol 0, Iss 24, Pp 21-24 (2006)
Le silicium est très important pour la fabrication des cellules solaires. La caractérisation des semiconducteurs par le microscope électronique à balayage (SEM) en utilisant les technique associées, telle que le courant induit par le faisceau é
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doajarticles::ac0e60367db1fa011cf75e43611c7721
http://revue.umc.edu.dz/index.php/a/article/view/135
http://revue.umc.edu.dz/index.php/a/article/view/135
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.