Zobrazeno 1 - 10
of 56
pro vyhledávání: '"Z. -F. Lou"'
Autor:
K.-Y. Hsiang, J.-Y. Lee, Z.-F. Lou, F.-S. Chang, Y.-C. Chen, Z.-X. Li, M. H. Liao, C. W. Liu, T.-H. Hou, P. Su, M. H. Lee
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 70:2142-2146
Autor:
K.-Y. Hsiang, C.-Y. Liao, J.-H. Liu, C.-Y. Lin, J.-Y. Lee, Z.-F. Lou, F.-S. Chang, W.-C. Ray, Z.-X. Li, H.-C. Tseng, C.-C. Wang, M. H. Liao, T.-H. Hou, M. H. Lee
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 43:1850-1853
Autor:
C.-Y. Liao, K.-Y. Hsiang, C.-Y. Lin, Z.-F. Lou, Z.-X. Li, H.-C. Tseng, F.-S. Chang, W.-C. Ray, C.-C. Wang, J.-Y. Lee, P.-H. Chen, J.-H. Tsai, M.-H. Liao, M. H. Lee
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 43:1559-1562
Autor:
K.-Y. Hsiang, J.-Y. Lee, Z.-F. Lou, F.-S. Chang, Z.-X. Li, C. W. Liu, T.-H. Hou, P. Su, M. H. Lee
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C.-Y. Liao, Z.-F. Lou, C.-Y. Lin, A. Senapati, R. Karmakar, K.-Y. Hsiang, Z.-X. Li, W.-C. Ray, J.-Y. Lee, P.-H. Chen, F.-S. Chang, H.-H. Tseng, C.-C. Wang, J.-H. Tsai, Y.-T. Tang, S. T. Chang, C. W. Liu, S. Maikap, M. H. Lee
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Autor:
J.-F. Wang, H. Liang, C. W. Liu, K.-Y. Hsiang, Tuo-Hung Hou, S.-H. Chiang, Z.-F. Lou, S.-H. Chang, Chun-Yu Lin, Min-Hung Lee, F.-C. Hsieh, C.-Y. Liao, J.-H. Liu
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 42:1464-1467
The bilayer-based Antiferroelectric Tunneling Junction (AFTJ) with ferroelectric (FE) HfZrO2 (HZO) and dielectric (DE) Al2O3 demonstrates a current ratio of $> 100\times $ , a TER (tunneling electroresistance) of $> 50\times $ , multilevel states, $>
Autor:
C.-Y. Liao, K.-Y. Hsiang, Z. -F. Lou, H.-C. Tseng, C.-Y. Lin, Z.-X. Li, F.-C. Hsieh, C.-C. Wang, F.-S. Chang, W.-C. Ray, Y.-Y. Tseng, S. T. Chang, T.-C. Chen, M. H. Lee
Publikováno v:
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits).
Autor:
Z.-F. Lou, C.-Y. Liao, K.-Y. Hsiang, C.-Y. Lin, Y.-D. Lin, P.-C. Yeh, C.-Y. Wang, H.-Y. Yang, P.-J. Tzeng, T.-H. Hou, Y.-T. Tang, M. H. Lee
Publikováno v:
2022 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA).
Autor:
K.-Y. Hsiang, C.-Y. Liao, Y.-Y. Lin, Z.-F. Lou, C.-Y. Lin, J.-Y. Lee, F.-S. Chang, Z.-X. Li, H.-C. Tseng, C.-C. Wang, W.-C. Ray, T.-H. Hou, T.-C. Chen, C.-S. Chang, M. H. Lee
Publikováno v:
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).