Zobrazeno 1 - 10
of 113
pro vyhledávání: '"Z Z Gan"'
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 7, Iss 3, Pp 035117-035117-8 (2017)
MgB2 films in four thickness (60 nm, 200nm, 600nm and 1μm) have been fabricated by hybrid physical–chemical vapor deposition technique (HPCVD). By measuring the magnetization hysteresis loops and the resistivity, we have obtained the transport and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1ba09a51db304811a95f9e0ebda13d2a
Autor:
Z Z Gan, R Q Han, Hou-zhi Zheng, Bang-fen Zhu, Jian-bai Xia, G G Qin, Guo Zhen Yang, Z T Zhong
This review volume consists of scientific articles representing the frontier and most advanced progress in the field of semiconductor physics and lattice dynamics.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhengshan Guo, Yijiao Wang, H. M. Chu, Qingrong Feng, X. W. Cai, Cheng‐Qing Yang, Ruirui Niu, K. Yang, Z. Z. Gan
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 112:022601
Lumped element kinetic inductance detectors (LEKIDs) are made from a single layer superconducting thin film. Because of their low noise and highly multiplexibility, LEKIDs provide a sensitive technology for the detection of millimeter and submillimet
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::59bdc7391e9ba9fa37d0556d63d822d9
https://doi.org/10.1063/1.5013286
https://doi.org/10.1063/1.5013286
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ling Zhu, Xiaodong Hu, Zhijian Yang, Huapu Pan, Tao Dai, Z. Z. Gan, K. Xu, Guoyi Zhang, Bei Zhang, Rui Li
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 298:375-378
In this study, the etching characteristics of Al x Ga 1 − x N/GaN superlattices with x =0.11 and 0.21 of Al and n-GaN with Cl 2 /SiCl 4 /Ar plasma using reactive ion etching (RIE) system were investigated. By varying gas ratio and rf power, it was
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dd911ef0d02738b3ea2e7713f5243b97
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.11.018
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.11.018
Autor:
Tao Dai, Hang Ji, ZhiMin Wang, Zhizhong Chen, Bei Zhang, Xiangning Kang, Z. Z. Gan, K. Xu, Kui Bao, Yong Chen
Publikováno v:
physica status solidi c. 4:33-36
In this report, a further improvement of surface light extraction from flip-chip GaN-based LED was obtained by the micro patterning of encapsulation on the sapphire. The two dimensional taper arrays with period from 6 to 10 micron were successfully r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::70636dd1abde42921f08a54f608696cc
https://doi.org/10.1002/pssc.200673519
https://doi.org/10.1002/pssc.200673519
Autor:
C.F. Yang, Y.Z. Tong, Ming Lu, Xueda Hu, Liqun Zhang, Zelian Qin, Zheng Chen, G. Y. Zhang, Zhi Li, X.M. Ding, Yong Zhao, Z. Z. Gan, Z. J. Yang, Tongjun Yu
Publikováno v:
Optical Materials. 23:183-186
In this work, InGaN/GaN multi-quantum wells (MQWs) high brightness light emitting diode (LED) was grown by metalorganic chemical deposition (MOCVD). Photoluminescence (PL), X-ray diffraction (XRD), cathodoluminescence (CL), transmission electron micr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4074f1cbc313726de6ee441e715317cf
https://doi.org/10.1016/s0925-3467(03)00081-8
https://doi.org/10.1016/s0925-3467(03)00081-8