Zobrazeno 1 - 10
of 73
pro vyhledávání: '"Z Jehl"'
Autor:
Anefnaf, I., Aazou, S., Sánchez, Y., Vidal-Fuentes, P., Fonoll-Rubio, R., Tiwari, Kunal J., Giraldo, S., Li-Kao, Z. Jehl, Andrade-Arvizu, J., Guc, M., Saucedo, E., Sekkat, Z.
Publikováno v:
In Solar Energy Materials and Solar Cells 1 August 2021 227
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
I. Anefnaf, S. Aazou, Y. Sánchez, P. Vidal-Fuentes, R. Fool-Rubio, K. J. Tiwari, S. Giraldo, Z. Jehl Li-Kao, J. Andrade-Arvizu, M. Guc, E. Saucedo, Z. Sekkat
Germanium-based wide band gapkesteritesemiconductor Cu2ZnGe(S,Se)4(CZGeSSe) is considered a very promising absorber compound as top cell in tandem devices. Autonomy to tailor the band gap from ~1.47eV (Cu2ZnGeSe4-CZGeSe) to ~2.2eV (Cu2ZnGeS4-CZGeS),
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2659::94e79b3f0396cfdfcd33e093580fd01f
https://zenodo.org/record/8058012
https://zenodo.org/record/8058012
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J.A. Andrade-Arvizu, Maxim Guc, Zouheir Sekkat, Safae Aazou, Ikram Anefnaf, Kunal J. Tiwari, Robert Fonoll-Rubio, Pedro Vidal-Fuentes, Yudania Sánchez, Z. Jehl Li-Kao, Sergio Giraldo, Edgardo Saucedo
Publikováno v:
UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC
Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
Germanium-based wide band gap kesterite semiconductor Cu2ZnGe(S,Se)4 (CZGeSSe) is considered a very promising absorber compound as top cell in tandem devices. Autonomy to tailor the band gap from ~1.47 eV (Cu2ZnGeSe4-CZGeSe) to ~2.2 eV (Cu2ZnGeS4-CZG
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9fb836dc05a2c74f800932e0375feb65
https://doi.org/10.1016/j.solmat.2021.111106
https://doi.org/10.1016/j.solmat.2021.111106
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alejandro Pérez-Rodríguez, Edgardo Saucedo, Claudia Malerba, Osvaldo Vigil-Galán, Marcel Placidi, Victor Izquierdo-Roca, Z. Jehl Li-Kao, M. Valentini, J.A. Andrade-Arvizu, Ignacio Becerril-Romero, Yudania Sánchez, Robert Fonoll-Rubio, Lorenzo Calvo-Barrio
Kesterite solar cells are at a crossroads, and a significant breakthrough in performance is needed for this technology to stay relevant in the upcoming years. In this work, we propose to follow the proven strategy of band engineering to assist charge
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::49866610229ef4d1999c4965103093d3
http://hdl.handle.net/20.500.12079/56443
http://hdl.handle.net/20.500.12079/56443