Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"Yuyin, Zhao"'
Publikováno v:
ACS Omega, Vol 8, Iss 11, Pp 9832-9842 (2023)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/638405df144b4e69aec78c6efbe119df
Publikováno v:
Advances in Polymer Technology, Vol 2023 (2023)
In order to improve the flame retardancy of poly(ethylene terephthalate) (PET) and maintain its excellent foamability, nanosilica (nano-SiO2), and zinc diethyl hypophosphite (ZDP) were selected as synergistic flame retardants, and pyromellitic dianhy
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7bb22153bbab40a7b7484cc2ccf8ed9e
Publikováno v:
Energies, Vol 13, Iss 24, p 6482 (2020)
In order to achieve long-distance measurement, a bridge differential inductance detection circuit is employed; on this basis, an automatic zero adjustment technique for sensors using an integral–proportional-integral controller is proposed in this
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/964bdfc115984c4187263ffa6a62610d
Publikováno v:
Energies
Volume 13
Issue 24
Energies, Vol 13, Iss 6482, p 6482 (2020)
Volume 13
Issue 24
Energies, Vol 13, Iss 6482, p 6482 (2020)
In order to achieve long-distance measurement, a bridge differential inductance detection circuit is employed
on this basis, an automatic zero adjustment technique for sensors using an integral&ndash
proportional-integral controller is prop
on this basis, an automatic zero adjustment technique for sensors using an integral&ndash
proportional-integral controller is prop
Publikováno v:
Lecture Notes in Electrical Engineering ISBN: 9789811584497
Inductive proximity sensor has the advantages of high sensitivity, good stability and high reliability. According to the principle of electromagnetic induction, it converts the distance signal of the target metal into electrical signal so as to contr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f2bcd3ef1ce34105d8d96b29cf2c5580
https://doi.org/10.1007/978-981-15-8450-3_49
https://doi.org/10.1007/978-981-15-8450-3_49
Autor:
Cheng Jia, Hushan Cui, Zhao Zhiguo, Hao Wu, Simon Yang, Yihong Lu, Zhang Yue, Huilong Zhu, Dapeng Chen, Wenwu Wang, Junjie Li, Huaxiang Yin, Yongkui Zhang, Dahai Wang, Huicai Zhong, Tianchun Ye, Hongyu Yu, Yuyin Zhao, Lingkuan Meng, Xiaobin He, Chunlong Li, Jian Zhong, Wang Yao, Tao Yang, Hong Yang, Yanbo Zhang, Junfeng Li, Qingqing Liang, Jiang Yan, Haizhou Yin, Jianfeng Gao, Peizhen Hong, Chao Zhao, Jinbiao Liu, Qiang Xu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 62:1411-1418
We present and demonstrate a self-aligned pocket well (SPW) structure used in planar bulk MOSFETs with a metal gate length of 25 nm and an effective channel length less than 20 nm. The SPW features a retrograde doping profile in vertical direction an
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1990, Vol. 8 Issue 5, p1058-1061, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.