Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Yurii V. Trushin"'
Autor:
Dmitri V. Kulikov, Jörg Pezoldt, Pierre Masri, F. Niebelschütz, Richard Nader, Vladimir Kharlamov, Yurii V. Trushin
Publikováno v:
physica status solidi c. 7:141-144
The deposition of Germanium (Ge) prior to the conversion of Si(100) into 3C-SiC(100) results in changes of the structure and surface morphology of the formed silicon carbide layer. First of all it reduces the thickness of the 3C-SiC layer grown durin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9c4562534b1fc69c2e9e267febc92eff
https://doi.org/10.1002/pssc.200982448
https://doi.org/10.1002/pssc.200982448
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.