Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Yurii Myhailovych Poplavko"'
Autor:
V. I. Molchanov, Anton Franchuk, Yurii Viktorovych Didenko, D.D. Tatarchuk, Yurii Myhailovych Poplavko
Publikováno v:
Electronics and Communications. 22:6-10
У статті показано можливість створення на основі тонких напівпровідникових резонаторів частотно-селективних пристроїв НВЧ з електрон
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4ae3238640b9051fd88fbe5fc1e0fa60
https://doi.org/10.20535/2312-1807.2017.22.4.82290
https://doi.org/10.20535/2312-1807.2017.22.4.82290
Autor:
Yurii Viktorovych Didenko, V. I. Molchanov, Myhailo Serhiiovych Serheev, D.D. Tatarchuk, Yurii Myhailovych Poplavko
Publikováno v:
Електроніка та зв'язок : науково-технічний журнал, Т. 21, № 2(91)
У статті представлено метод вимірювання діелектричної проникності й тангенса кута діелектричних втрат діелектричних матеріалів у мік
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5fd13ecc5cf4368f36f81f793e98cf59
https://doi.org/10.20535/2312-1807.2016.21.2.57146
https://doi.org/10.20535/2312-1807.2016.21.2.57146
Publikováno v:
Electronics and Communications. 19:119-125
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e17d53efacacef31890857853e972bc2
https://doi.org/10.20535/2312-1807.2014.19.6.113596
https://doi.org/10.20535/2312-1807.2014.19.6.113596
Publikováno v:
Electronics and Communications. 19:15-22
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::824780d908d4ef4ee427733fe892b8af
https://doi.org/10.20535/2312-1807.2014.19.4.31742
https://doi.org/10.20535/2312-1807.2014.19.4.31742
Publikováno v:
Electronics and Communications. 19:28-35
Temperature is one of the important factors that affect to the coefficient of dielectric loss. Currently electronics is actively developing in the gigahertz frequency range. The frequency growth leads to the increasing of dielectric self-heating in t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e857c6a9d75001f269ddae0d36a6fc39
https://doi.org/10.20535/2312-1807.2014.19.4.31744
https://doi.org/10.20535/2312-1807.2014.19.4.31744
Publikováno v:
Electronics and Communications. 19:23-29
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1b7f4649c439afee501e564a86c906e8
https://doi.org/10.20535/2312-1807.2014.19.2.142129
https://doi.org/10.20535/2312-1807.2014.19.2.142129
Publikováno v:
Electronics and Communications. 18:9-15
Under the anisotropy of boundary conditions, a high-gap III-V semiconductor indicates a behavior of pyroelectric crystal (in spite of it is a piezoelectric only). Partial limitation of strain in the [111]-plate of this crystal provides its substantia
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4825a85079031e987349f5d83be9011f
https://doi.org/10.20535/2312-1807.2013.18.6.142453
https://doi.org/10.20535/2312-1807.2013.18.6.142453